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  • 本申请涉及一种放射剂量确定方法、装置和存储介质。通过获取与对象对应的共享数据,利用多个处理模块中的每个处理模块,基于共享数据,确定与每个处理模块对应的第一放射剂量;以及根据与多个处理模块对应的多个第一放射剂量,确定与对象对应的目标放射剂量,...
  • 本发明应用于高温气冷核反应堆技术领域,具体涉及一种高温气冷核反应堆氦净化及氦辅助系统。现有高温气冷堆采用圆形布置方式,氦净化及氦辅助系统布置在圆形区域外,与对应的反应堆距离较远,氦气管道较长,压损较高。本发明公开一种氦净化系统,其正常净化列...
  • 本发明涉及电缆技术领域,尤其是一种安全防爆的储能系统用连接软电缆,包括导体,所述导体的外侧包裹有隔离层,所述隔离层的外侧套设有绝缘层,所述绝缘层的外侧包覆有防爆缓冲层,所述防爆缓冲层的外侧包裹有防爆金属层,所述防爆金属层的外侧包裹有外护套。...
  • 本发明公开了一种晶界扩散烧结钕铁硼磁体及其制备方法和应用,所述晶界扩散烧结钕铁硼磁体是晶界扩散烧结钕铁硼磁体组合物的晶界扩散产物。所述晶界扩散烧结钕铁硼磁体组合物,其包括磁体基体,和位于磁体基体表面的重稀土元素膜层,所述重稀土元素膜层内含有...
  • 本发明提供了一种金属富勒烯单分子磁体材料及其制备方法。所述的金属富勒烯是具有纳米尺寸的单分子磁体,在23K以下可以观察到磁滞现象,表现出良好的磁性行为。该金属富勒烯分子采用三乙胺还原法先富集其金属富勒烯负离子溶液,再与碘苯溶剂进行衍生化反应...
  • 本发明公开一种电磁线圈,包括绕线架、绕组线圈、导磁壳、导磁板和导针,至少部分绕组线圈置于绕线架的容线槽中,位于绕组线圈一侧的挡线盘上设置有端部凸台,导针设置在端部凸台上;与该端部凸台相邻的挡线盘上开设有过线槽,在过线槽的槽口两侧分别设置有挡...
  • 本发明属于变压器设计技术领域,具体涉及一种双分裂变压器及其线圈结构。本发明的双分裂变压器的线圈结构包括通过绝缘材料结合成的包含高压线圈本体的第一筒形整体,该第一筒形整体上具有若干个用于散热的通孔,由此,即可针对双分裂变压器的高压线圈本体,通...
  • 本发明提供一种具有光源的按压开关,包括有绝缘座体、一触发总成、一推钮片、一灯座及一按压帽盖,借由按压帽盖的表面受到作用力而进行推移时,该按压帽盖至少二侧的开口为提供绝缘座体内部的灯座的至少二支撑部穿设而不形成干涉,是以令该按压帽盖向下推移时...
  • 本申请涉及键盘技术领域,提供了一种按键模块、键盘及电子设备,该按键模块包括基板、支撑组件和键帽组件,其中,键帽组件与基板相对设置,键帽组件包括键帽和骨架,键帽包括顶板和侧围板,侧围板固设于顶板朝向基板的一侧,顶板与侧围板共同围设出容纳腔。骨...
  • 一种断路器操作机构的自锁装置,其特征在于:手柄杠杆组件上设置有自锁特征部一,锁扣上与所述自锁部特征一对应位置设置有自锁特征部二,操作机构处于合闸或脱扣位置时,所述自锁特征部一和自锁特征部二分离,操作机构处于分闸位置时,所述自锁特征部一和自锁...
  • 本申请提供了一种真空电子器件,采用两组互相对称的平面电路构成的平面化扩展互作用谐振腔作为换能结构的扩展互作用速调管放大器。该放大器结合了速调管和行波管换能结构各自的优势,在面向中小功率情况下具有稳定性(单向性)、平面化和小型化的特点。
  • 本发明公开一种加热器结构和加热器制造方法。本发明加热器在制造过程中利用加热层形成步骤和加热层打磨步骤的循环,多次循环直到形成具有目标厚度的加热层,在反复打磨和形成步骤中将加热器层上表面的气孔填充。最终使得本发明方法制造的加热层具有表面平整度...
  • 本发明提供一种封装基板结构及其制备方法,方法包括:载体衬底上设置图形化的互连层,互连层上设置无机材料层与连接结构表面齐平;互连层和无机材料层构成包括相对的第一表面和第二表面的芯板层;去除载体衬底;第一表面和第二表面设置图形化的包括贯通介质增...
  • 本发明属于半导体键合技术领域,具体涉及一种用于键合切线深度的优化方法及键合结构,所述方法包括以下步骤:S1、获取键合线的线径,根据线径计算标定切线深度;S2、通过控制切刀对键合线进行预切割,并获取标定感应电压;S3、通过控制切刀依次对不同焊...
  • 本发明涉及一种封装载板的制造方法,主要是利用将二片金属片以黏着材相互黏着结合,以形成一具有足够刚性的线路基材板,借此除了可以免除使用承载板以节约生产成本之外,更可于该线路基材板的二侧同步进行图案化显影、蚀刻、RCC压膜(背胶铜箔Resin ...
  • 本发明涉及门极钼环加工技术领域,公开了一种IGCT器件用的门极钼环加工方法,依次对钼环进行一次减薄、车削、二次减薄、制作外圆倒角、激光切割制作内孔、线切割制作内孔、镗孔制作内孔、精加工制作内孔和三次减薄;在实际使用时,本发明通过激光切割方式...
  • 本发明涉及一种硅片金属污染检测方法,包括以下步骤:提供待测硅片,待测硅片具有相对设置的第一表面和第二表面,第一表面具有污染中心;构建公式一,公式一用于反映待测硅片第一表面任意位置与待测硅片污染中心的金属元素含量的关系;确定待测硅片污染中心的...
  • 本发明涉及一种晶圆厚度量测的抽样方法、计算机设备及可读存储介质,所述方法包括:确定各晶圆在目标工艺中由哪个工艺腔体处理,得到晶圆与工艺腔体的对应信息;根据所述对应信息,使目标晶圆厚度量测站点在每个预设测试周期内量测的晶圆涵盖所述目标工艺中所...
  • 本发明公开集成电路封装检验治具,涉及封装治具领域。该集成电路封装检验治具包括底座主体,所述底座主体上设有采集装置,所述采集装置上连接有数据分析装置。该集成电路封装检验治具在使用时首先将原料放置在治具主体的内部并进行压料封装,压料封装过程中,...
  • 本发明公开一种加热装置及半导体处理设备。加热装置安装在盖板上,包括光投射部件和光偏转器,所述光投射部件固定安装在所述盖板上,并向所述盖板的方向发射投射光,所述光偏转器安装在所述投射光的光路上,以使所述投射光的方向发生偏转,所述光偏转器可旋转...
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