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最新专利技术
  • 元件加工设备
    元件加工设备_錼创显示科技股份有限公司_202311819076.2
    本发明提供一种元件加工设备，其包括承载单元、控制单元以及加工模块。承载单元用以承载待加工对象。控制单元信号连接承载单元，并定义待加工对象的表面为多个加工区域。加工模块受控于控制单元。加工模块包括转移单元以及修复单元。转移单元适于依据多个加工...
    2025-07-09
  • 混合接合结构以及显示面板
    混合接合结构以及显示面板_财团法人工业技术研究院_202311830837.4
    本发明公开一种混合接合结构，其包括第一介电层、多个第一导体、第二介电层以及多个第二导体。第一导体嵌于第一介电层中，第二介电层与第一介电层接合，第二导体嵌于第二介电层中，其中第二导体与第一导体接合，且第二导体与第一导体的接合接口为含银接合接口...
    2025-07-09
  • 一种发光单元及微发光元件
    一种发光单元及微发光元件_厦门三安光电有限公司_202311828440.1
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光单元及微发光元件。所述发光单元包括外延结构和绝缘层，所述外延结构具有相对的第一表面和第二表面；所述外延结构包括由第一表面向第二表面依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述外延结构配置有台面...
    2025-07-09
  • 太阳能电池片的激光辅助烧结装置及方法
    太阳能电池片的激光辅助烧结装置及方法_苏州炳日科技有限公司_202311825250.4
    本发明提供了一种太阳能电池片的激光辅助烧结装置，其包括烧结炉；激光组件，位于所述烧结炉的下游，用于发射辐射电池片的激光，所述烧结炉、所述激光组件沿第一方向间隔设置；传输组件，用于传输所述烧结炉内预烧结后的电池片并经过所述激光的辐射区域,本发...
    2025-07-09
  • 一种背照式图像传感器及其制造方法
    一种背照式图像传感器及其制造方法_格科半导体(上海)有限公司_202311828160.0
    本发明公开了一种背照式图像传感器的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一具有像素区的衬底；步骤S2，在所述衬底的背面形成深沟槽，所述深沟槽位于所述像素区；步骤S3，在所述深沟槽的侧壁及底部形成高介电层，所述高介电层填充所述深沟槽；步骤S4...
    2025-07-09
  • 光电探测器、光接收机、光模块与光电探测器的制造方法
    光电探测器、光接收机、光模块与光电探测器的制造方法_华为技术有限公司_202311837088.8
    本申请的实施例提供了一种光电探测器、光接收机、光模块与光电探测器的制造方法，该光电探测器中，收集层与吸收层之间设置有过渡层，以使得收集层的尺寸可以减小，且过渡层可以将收集层与吸收层之间的电场限制在收集层的尺寸的范围内，进而可以降低光电探测器...
    2025-07-09
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202311834914.3
    本公开涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：衬底、掩埋介质层、横向功率器件、纵向功率器件和隔离结构。掩埋介质层设于衬底内，包括：厚度具有梯度的第一部分，并具有开口。横向功率器件设于掩埋介质层的第一部分上方，包括沿平行于衬底的方向...
    2025-07-09
  • SOI半导体结构及其制造方法
    SOI半导体结构及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202311833280.X
    本发明涉及一种SOI半导体结构及其制造方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；所述SOI晶圆包括从下到上叠设的底部半导体层、掩埋介质层及顶部半导体层；去除所述SOI晶圆的第一区域的顶部半导体层，并减薄所述第一区域的掩埋介质层；在第一区域被减薄的...
    2025-07-09
  • 一种半导体器件及其形成方法
    一种半导体器件及其形成方法_格科半导体(上海)有限公司_202311830083.2
    本发明公开了一种半导体器件的形成方法，至少包括以下步骤：步骤S1，提供一衬底，置于反应室内，所述衬底包含第一导电类型和第二导电类型，所述衬底表面设有一经预掺杂处理的栅氧化层和多晶硅层；步骤S2，向所述反应室内通入第一反应气体，在所述多晶硅层...
    2025-07-09
  • 多栅指晶体管及其制备方法
    多栅指晶体管及其制备方法_昆山工研院第三代半导体研究院有限公司_202311825413.9
    本发明公开了一种多栅指晶体管及其制备方法。所述多栅指晶体管包括半导体外延结构、栅极、与所述栅极配合的源极以及漏极；所述半导体外延结构具有有源区和至少部分环绕所述有源区的非有源区；所述栅极包括栅条以及N个栅指，所述栅条设置于所述非有源区并沿第...
    2025-07-09
  • 一种超结器件及其制造方法
    一种超结器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202311837874.8
    本发明涉及一种超结器件及其制造方法，所述超结器件包括：衬底；横向超结结构，位于衬底上，包括沿第一方向交替排列的N型区和P型区；纵向超结结构，位于横向超结结构上，包括第二导电类型层和顶部第一导电类型层，顶部第一导电类型层位于纵向超结结构的顶层...
    2025-07-09
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_杰平方半导体(上海)有限公司_202311827847.2
    本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括衬底，衬底分为相对的第一面和第二面；位于衬底的第一面的栅极；位于衬底的内部并且靠近衬底的第一面的源极，源极位于栅极的两侧；位于衬底的内部并且靠近衬底的第二面的漏极；位于衬底的内部并且靠近...
    2025-07-09
  • 半导体器件
    半导体器件_苏州能讯高能半导体有限公司_202311825392.0
    本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括外延结构、第一介质层、栅极、空气栅场板以及第二介质层；所述第一介质层覆盖所述外延结构；所述栅极设置于所述外延结构设置所述第一介质层的一侧；所述空气栅场板设置于所述栅极远离所述外延结构的一侧并与所...
    2025-07-09
  • 半导体外延结构及其制备方法
    半导体外延结构及其制备方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311825208.2
    本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法。所述半导体外延结构包括依次层叠的衬底、成核层和多层外延层；所述成核层包括第一子成核层和第二子成核层；所述第一子成核层的厚度可控；所述第二子成核层的厚度小于所述第一子成核层的厚度，所述第二子成核层用...
    2025-07-09
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法_电子科技大学_202311846062.X
    本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构，衬底结构内设有第一阱区，第一阱区内设有间隔排布的第二阱区和漏区，第二阱区内设有源区；第一掺杂区，设于第一阱区内，且位于第二阱区和漏区之间；...
    2025-07-09
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法_电子科技大学_202311846055.X
    本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构，衬底结构内设有第一阱区，第一阱区内设有间隔排布的第二阱区和漏区，第二阱区内设有源区；第一超结结构，设于第一阱区内，且位于第二阱区和漏区之间...
    2025-07-09
  • 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
    横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法_电子科技大学_202311831507.7
    本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构；第一掺杂区，设于衬底结构内；第一阱区和漏区，间隔排布于第一掺杂区内；源区，设于第一阱区内；变K介质层，嵌设于第一掺杂区内，且位于第一阱区和...
    2025-07-09
  • GaN HEMT器件的制作方法
    GaN HEMT器件的制作方法_华润微电子(重庆)有限公司_202311831540.X
    本发明提供一种GaN HEMT器件的制作方法，包括：提供衬底，衬底上形成有层叠的GaN沟道层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上形成有PGaN帽层，PGaN帽层上形成有栅极金属层；于AlGaN势垒层上形成源极金属层和漏极金属层；进行局部退...
    2025-07-09
  • 一种ESC外壳总成
    一种ESC外壳总成_乐星汽车电子(青岛)有限公司_202311836619.1
    本发明涉及ESC外壳总成技术领域，且公开了一种ESC外壳总成，包括壳体，还包括：固定在所述壳体顶部的连接器，所述壳体和连接器之间采用嵌件注塑；设置在所述连接器顶部后方的连接壳，所述连接壳的内部设置有若干电磁外壳，所述电磁外壳的顶部嵌设有盖板...
    2025-07-09
  • 电机控制方法、装置和车辆
    电机控制方法、装置和车辆_北京骑胜科技有限公司_202311824503.6
    本公开实施例涉及一种电机控制方法、装置和车辆。所述方法包括：根据所述电机控制器符合的触发条件，向电机内部设置的电机芯片发送参数获取请求；接收所述电机芯片根据所述参数获取请求返回的目标电机参数；根据所述目标电机参数控制电机。采用本方法能够降低...
    2025-07-09
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