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保护膜的形成方法
本发明的保护膜的形成方法包括:提供玻璃基体并进行超声波清洗;在所述玻璃基体的表面上沉积形成第一金属层;以及在所述第一金属层上沉积形成第二金属层。该方法提供的保护膜具有抗菌抗污染的作用,从而可保护内容物免受污染,保证其稳定化学性能,而且该方法...
一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法
一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法,它属于磁控溅射镀膜领域。它解决了现有管筒件内放电难,稳定性差,膜层质量差的问题。本发明中待镀管和柱状靶分别接电源正极和负极,在二者之间进行二极放电。放电电源采用直流复合双极性脉冲电源,放电...
一种具有多带隙组合的Zr/NbMoTaWO多层膜及其制备方法
一种具有多带隙组合的Zr/NbMoTaWO多层膜及其制备方法,属半导体材料技术领域。该多层膜采用磁控溅射法,(Zr/Ar气)和(NbMoTaW/氧氩混合气)双靶、双气氛交替溅射制备。多层膜为Zr氧化物和NbMoTaW氧化物交替结构,Zr氧化...
一种链式局域镀膜设备
本实用新型公开了一种链式局域镀膜设备,包括反应仓与传输组件,所述反应仓内设置有进料腔、缓冲腔、工艺腔与出料腔,还包括:供气管路,其包括两个排气端,分别连通缓冲腔与工艺腔设置;所述缓冲腔与工艺腔内部压强保持一致设置;激发单元,其设置在工艺腔内...
用于防止振动的蒸镀装置
根据本发明的一个方面的蒸镀装置包括:蒸镀腔室,提供蒸镀空间;第一板,能够从所述蒸镀腔室的上侧分离;第二板,布置于所述第一板的上侧;六自由度平台,连接于所述第二板,且通过所述第一板并延伸至所述蒸镀空间;静电吸盘,布置于所述六自由度平台的下侧,...
一种致密氧化物涂层及其物理气相沉积方法和应用
本申请公开了一种致密氧化物涂层及其物理气相沉积方法和应用,致密氧化物涂层包括金属层和氧化物层,氧化物层沉积于金属层的表面。物理气相方法包括如下工艺流程:装载基体;对基体进行离子清洗;通入惰性气体,开启Cr靶,在基体表面沉积金属层;通入氧气和...
批量化基板原子层沉积装置
本发明涉及一种批量化基板原子层沉积装置,包括有真空腔体、轴封装置以及旋转驱动总成。真空腔体包括有前侧壁、后侧壁以及周面;前侧壁与后侧壁互相平行设置,周面连接前侧壁与后侧壁的边缘,以形成反应空间。周面的内侧设置有交错配置的多个凹部与多个凸部,...
一种控制上锌量的镀锌钢管生产设备及其使用方法
本发明涉及镀锌钢管生产设备领域,特别是一种控制上锌量的镀锌钢管生产设备及其使用方法,包括镀锌部件,包括热镀锌池,所述热镀锌池侧壁设有无线传输器,所述热镀锌池底部和侧壁设有加热盘,所述热镀锌池上设有送料铁链;清理部件,包括设置于所述热镀锌池侧...
大面积二硒化钼薄膜的制备方法
本发明提出一种大面积二硒化钼薄膜的制备方法,该方法包括:先将衬底进行超声清洗,而后将衬底表面吹干;在称量纸上分别称取一定量相对应的(NH
4
)
2
MoO
4
、硒粉与KCl,并将称取...
C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及制备方法
一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及制备方法,属于薄膜传感器设计与生产技术领域。绝缘层包括自下而上依次设置的Si
3
N
4
缓冲层、AlN过渡层、Al
2
O
3
一种高硬度抗压合金钢板及其制备工艺
本发明公开了一种高硬度抗压合金钢板及其制备工艺,涉及金属材料镀层技术领域。所述高硬度抗压合金钢板的制备工艺,包括以下步骤:S1:对合金钢板进行清洁预处理、喷射预处理,得到预处理合金钢板II;S2:采用高能微弧合金化工艺在预处理合金钢板II表...
利用抑制的特征填充
本文提供了用金属填充特征的方法,包括金属成核的抑制。
一种柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法
本发明公开了一种柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法,涉及二维氮化硼薄膜强化加工技术领域,包括原子层沉积镀膜仓、传动机构和注气机构,所述原子层沉积镀膜仓的内部对称固定安装有分隔板,且分隔板的上段开设有通孔,并且原子层沉积镀膜仓的前后两侧对称...
用于前体再循环的方法和系统
本公开涉及用于前体再循环的方法和系统。具体地,本技术的各种实施例可以提供反应器、具有联接到反应器的入口的入口的第一容器、具有联接到反应器的入口的入口的第二容器以及联接到反应器的出口、第一容器的入口和第二容器的入口的排气管线。第一和第二容器可...
工件保持装置、对准装置以及成膜装置
本发明涉及工件保持装置、对准装置以及成膜装置。在支承工件的结构中,变形更少。工件保持装置具备:第一支承单元,所述第一支承单元对工件进行支承;以及第二支承单元,所述第二支承单元悬挂所述第一支承单元而进行支承,其中,所述第一支承单元具备:沿第一...
一种金纳米薄膜非线性吸收系数和非线性折射率的动态调控方法
本发明公开了一种金纳米薄膜非线性吸收系数和非线性折射率的动态调控方法,属于非线性光学技术领域,该方法是利用物理气相沉积技术在石英玻璃片上蒸镀一层金纳米薄膜,在金纳米薄膜两端连接金属导线电极,并接入直流电源,构成电回路;通过改变直流电源的电压...
一种PECVD真空镀膜设备及真空镀膜腔室的降温方法
本发明属于半导体设备降温技术领域,具体涉及一种PECVD真空镀膜设备及真空镀膜腔室的降温方法,打开进气阀门使得导热气体通入到所述腔体内,控制腔体内的气压值设定在500pa~800pa,利用在该压力区间的导热气体对腔室进行降温,相比于自然水冷...
真空处理装置、静电吸盘和运送辊
本发明的一个方式的真空处理装置具有真空腔室;支承体,其具有基底部和表面层,所述基底部配置在所述真空腔室内且由导电体构成,所述表面层由电介质构成且覆盖所述基底部的表面,所述表面层具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支承面;以及表面处理单元,...
一种可变尺寸的高功率微波等离子体化学气相沉积设备偏压样品台
本发明金刚石膜生长领域,尤其涉及一种可变尺寸的高功率微波等离子体化学气相沉积设备偏压样品台。该样品台的基片放置在钼台的顶部凹槽内,钼台的底部中心沿竖向安装钼螺栓,上下相对水平设置的样品台支座、样品台陶瓷板,与左右相对设置的左L型立板、右L型...
一种真空处理设备
本发明属于真空处理技术领域,公开了一种真空处理设备,第一装载架能够装载多个工件,第一装载架能整体置入或离开第一腔室;搬送机构设于第一腔室内,搬送机构能在第一腔室和第二腔室之间搬送工件,并在搬送工件过程中选择性地带动工件旋转。通过第一装载架能...
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