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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明涉及镀锌钢管生产设备领域,特别是一种控制上锌量的镀锌钢管生产设备及其使用方法,包括镀锌部件,包括热镀锌池,所述热镀锌池侧壁设有无线传输器,所述热镀锌池底部和侧壁设有加热盘,所述热镀锌池上设有送料铁链;清理部件,包括设置于所述热镀锌池侧...
  • 本发明提出一种大面积二硒化钼薄膜的制备方法,该方法包括:先将衬底进行超声清洗,而后将衬底表面吹干;在称量纸上分别称取一定量相对应的(NH4)2MoO4、硒粉与KCl,并将称取...
  • 一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及制备方法,属于薄膜传感器设计与生产技术领域。绝缘层包括自下而上依次设置的Si3N4缓冲层、AlN过渡层、Al2O3
  • 本发明公开了一种高硬度抗压合金钢板及其制备工艺,涉及金属材料镀层技术领域。所述高硬度抗压合金钢板的制备工艺,包括以下步骤:S1:对合金钢板进行清洁预处理、喷射预处理,得到预处理合金钢板II;S2:采用高能微弧合金化工艺在预处理合金钢板II表...
  • 本文提供了用金属填充特征的方法,包括金属成核的抑制。
  • 本发明公开了一种柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法,涉及二维氮化硼薄膜强化加工技术领域,包括原子层沉积镀膜仓、传动机构和注气机构,所述原子层沉积镀膜仓的内部对称固定安装有分隔板,且分隔板的上段开设有通孔,并且原子层沉积镀膜仓的前后两侧对称...
  • 本公开涉及用于前体再循环的方法和系统。具体地,本技术的各种实施例可以提供反应器、具有联接到反应器的入口的入口的第一容器、具有联接到反应器的入口的入口的第二容器以及联接到反应器的出口、第一容器的入口和第二容器的入口的排气管线。第一和第二容器可...
  • 本发明涉及工件保持装置、对准装置以及成膜装置。在支承工件的结构中,变形更少。工件保持装置具备:第一支承单元,所述第一支承单元对工件进行支承;以及第二支承单元,所述第二支承单元悬挂所述第一支承单元而进行支承,其中,所述第一支承单元具备:沿第一...
  • 本发明公开了一种金纳米薄膜非线性吸收系数和非线性折射率的动态调控方法,属于非线性光学技术领域,该方法是利用物理气相沉积技术在石英玻璃片上蒸镀一层金纳米薄膜,在金纳米薄膜两端连接金属导线电极,并接入直流电源,构成电回路;通过改变直流电源的电压...
  • 本发明属于半导体设备降温技术领域,具体涉及一种PECVD真空镀膜设备及真空镀膜腔室的降温方法,打开进气阀门使得导热气体通入到所述腔体内,控制腔体内的气压值设定在500pa~800pa,利用在该压力区间的导热气体对腔室进行降温,相比于自然水冷...
  • 本发明的一个方式的真空处理装置具有真空腔室;支承体,其具有基底部和表面层,所述基底部配置在所述真空腔室内且由导电体构成,所述表面层由电介质构成且覆盖所述基底部的表面,所述表面层具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支承面;以及表面处理单元,...
  • 本发明金刚石膜生长领域,尤其涉及一种可变尺寸的高功率微波等离子体化学气相沉积设备偏压样品台。该样品台的基片放置在钼台的顶部凹槽内,钼台的底部中心沿竖向安装钼螺栓,上下相对水平设置的样品台支座、样品台陶瓷板,与左右相对设置的左L型立板、右L型...
  • 本发明属于真空处理技术领域,公开了一种真空处理设备,第一装载架能够装载多个工件,第一装载架能整体置入或离开第一腔室;搬送机构设于第一腔室内,搬送机构能在第一腔室和第二腔室之间搬送工件,并在搬送工件过程中选择性地带动工件旋转。通过第一装载架能...
  • 本发明提供一种提高柔性ITO膜电阻稳定性的镀膜方法,属于镀膜技术领域,包括以下步骤:(1)将基材膜卷装入真空镀膜设备腔室内,调节真空镀膜设备腔室内的真空度;(2)对基材膜卷进行放卷,调节真空镀膜设备腔室内的温度对膜材进行加热除气;(3)除气...
  • 本发明提供了一种用于小口径金属管内壁涂层制备的电爆喷涂装置,涉及电爆喷涂领域,其包括低压导电管,其连接于电容器的低压端;金属管驱动机构,用于驱动金属管沿低压导电管内部轴向移动;金属管驱动机构上设置有低压电极;高压导电管,其连接于电容器的高压...
  • 本发明涉及二硫化钼薄膜制备技术领域,特别是基于一种制备高定向二硫化钼薄膜的方法,包括以下步骤:清洗衬底;将衬底的抛光面朝下扣于石英舟上;称取氧化钼及硫粉放在石英舟中,分别将装有硫粉、氧化钼、衬底的三个石英舟放在管式炉内依次排布的第一温区、第...
  • 本发明公开了一种在镀镍陶瓷覆铜基板表面化学镀银的方法,涉及金属表面处理技术领域;S1:将硝酸、咪唑、表面活性剂依次加入去离子水中混合均匀,得到活化剂;S2:将陶瓷覆铜基板预处理后,化学镀镍处理,清洗烘干,得到镀镍陶瓷基板;S3:将镀镍陶瓷基...
  • 本发明属于真空镀膜技术领域,公开一种化学气相沉积设备。化学气相沉积设备包括真空腔室、旋转组件和加热组件,旋转组件包括驱动件和旋转件,旋转件转动连接于真空腔室的腔壁,旋转件设有穿设孔,穿设孔的顶端开口处设置有衬底载盘;驱动件用于驱动旋转件转动...
  • 本发明属于材料科学领域,特别涉及一种基于多脉冲的氧化硅薄膜低温原子层沉积方法。该工艺通过多脉冲的方式可以实现原子层沉积(ALD)SiO2薄膜的精确厚度控制,调节每循环沉积的薄膜厚度(GPC),降低沉积温度;独特的多脉冲...
  • 本申请涉及一种镀膜装置。镀膜装置包括镀锅、承载圈以及盖板。镀锅包括载环孔。载环孔贯穿镀锅。承载圈位于载环孔内。盖板与承载圈相配合。盖板包括通气开口,通气开口沿盖板的径向贯穿盖板。至少一个通气开口与盖板的边缘相邻。如此设置,外界的空气能够较快...
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