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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本实用新型公开了一种导板防渗碳用机架,包括:机架,所述机架顶部设置有滑轨;滑轮区,所述滑轮区与滑轨配合实现水平移动;压板区,所述压板区放置于所述滑轮区顶部,所述压板区用于固定导板,所述压板区随着滑轮区的移动而移动;压紧区,所述压紧区用于压紧...
  • 本实用新型涉及蒸镀设备技术领域,公开了一种蒸镀腔室开合挡板连接件、开合挡板及开合装置,其中,一种蒸镀腔室开合挡板连接件包括,螺纹柱,周向侧壁上设有螺纹,适于与电机轴转接件上的螺纹孔适配;第一定位凸台,与螺纹柱同轴设置且设于螺纹柱的一端,且第...
  • 本实用新型公开了一种CVD工艺腔反应气体精准分布装置,属于气体分布装置技术领域,其一种CVD工艺腔反应气体精准分布装置,包括上盖板,所述上盖板的上端中部设置有气体调节阀,所述上盖板的上侧内部固定安装有导流管,所述上盖板的下侧固定安装有安装板...
  • 一种匀气装置及气体处理设备,涉及半导体设备技术领域,匀气装置包括壳体和匀气部;壳体包括第一围合部和第二围合部,第一围合部和第二围合部围合并形成腔体,第一围合部上设有进气孔,第二围合部上设有出气孔;匀气部位于腔体内并将腔体分隔为两个子腔体,匀...
  • 一种金属表面涂层的离子喷涂装置,属于喷涂领域,为解决了种流体状态的喷涂料在喷涂过程中存在随意流动的问题,严重影响了喷涂的均匀性,由于喷涂料的随意流动,在金属表面的不同区域,涂层的厚度和成分分布难以保持一致,喷涂均匀性的缺失会影响金属表面涂层...
  • 本申请公开一种混气装置及处理设备。该混气装置包括进气部件和分气部件;所述进气部件具有至少两个进气腔和至少两个进气通道,每个所述进气腔和至少一个所述进气通道连通;所述分气部件具有至少两个出气通道,所述出气通道出气口,每个所述进气腔和至少一个所...
  • 本发明公开一种原子层沉积设备,涉及原子层沉积技术领域,包括:第一反应室,为具有两端分别开设有第一开口和第二开口的腔体结构,第一开口的孔径小于第二开口的孔径,且第一反应室包括沿第一开口至第二开口方向的第一弧形壁和第二弧形壁,第一弧形壁与第二弧...
  • 本发明涉及激光熔覆技术领域,尤其涉及一种用于激光熔覆的工作台,包括:工作台面,具有多个安装位用于第一定位机构、第二定位机构或旋转机构与工作台面可拆卸固定连接。旋转机构,旋转执行端具有用于与熔覆组件配合以带动熔覆组件共同转动的配合组件。调节第...
  • 本实用新型涉及真空涂层技术领域,具体为一种可快速冷却的真空涂层装置,包括机体,所述连接头的一侧连接有合金靶,所述机体的内壁安装有吸气管,所述机体的左侧安装有伺服电机,所述伺服电机的底部安装有主旋转杆,所述主旋转杆通过皮带连接有副旋转杆,所述...
  • 本实用新型涉及光伏玻璃生产领域,尤其涉及一种光伏玻璃贴膜装置,包括底架及贴膜机构,贴膜机构设置在底架两侧上方,贴膜机构包括两个侧板、辊轴、转动带,两个侧板对称固定安装在底架上方两侧,辊轴阵列转动安装在两个侧板中间,转动带转动套设在辊轴外侧,...
  • 本申请实施例提供了一种波长转换装置,包括基板、第一氧化物过渡层、反射层以及波长转换层,所述第一氧化物过渡层设置于所述基板的表面,所述反射层设置于所述第一氧化物过渡层的远离所述基板的表面,所述波长转换层设置于所述反射层的远离所述反射层的表面;...
  • 本申请涉及磁控共溅射设备,主体结构设有真空腔室,基片台设置于真空腔室中;靶可调整地设置于真空腔室中,以调节与基片台的相对方向角,且靶通过靶安装法兰穿过主体结构,用于连接外部电源;其中,靶的数量为至少二个,且磁控共溅射设备于每一靶上设有一靶挡...
  • 本发明涉及管材领域,具体涉及一种管材吊装排放装置,包括吊车和吊车的起重臂,还包括:连接架,该连接架可拆卸连接在起重臂的前端;吊杆,该吊杆顶端与连接架铰接;调节部,该调节部可拆卸连接在吊杆底端;拾取部,该拾取部可拆卸连接在调节部底端;限位模具...
  • 本发明涉及模具制备技术领域,具体公开一种提升模具表面抗高温氧化的方法,其中,制备方法包括步骤:通过预先在模具表面制备梯度过渡层,以增加涂层与模具的亲和度,增强膜基结合力,然后再在梯度过渡层的最外层TiAlCr层上继续生成TiAlCrN薄膜,...
  • 本申请涉及热电材料制备技术领域,具体涉及了一种金属硫化物三维结构热电材料制备方法,包括提供三维基体,在所述三维基体表面沉积金属单质,得到镀金属基体;将所述镀金属基体与硫单质容纳于石英管中,并将所述石英管密封且抽至真空;加热所述石英管至所述硫...
  • 本发明提出的薄膜沉积装置,包括处理腔室,所述处理腔室包括:N个呈正多边形分布的处理站,用于进行薄膜沉积;其中,N≥3;N个工艺机械手,分别设置在相邻两个处理站之间,用于在相邻两个处理站之间传送基板;所述工艺机械手的一端与所述处理腔室转动连接...
  • 本发明公开一种用于半导体设备的前驱体物供应装置、供应方法及设备,其中供应装置包括:前驱体物容器,前驱体物容器内包括相互隔离设置的前驱体物供应区和前驱体物补充区,前驱体物补充区和前驱体物供应区均用于容纳液态前驱体物;液压监测系统,液压监测系统...
  • 本申请提供一种电池片CVD载板及CVD膜厚检测装置。电池片CVD载板包括载板主体以及开设在所述载板主体上的若干承载区。若干所述承载区呈矩阵排布。所述承载区包括多个电池片承载区与至少一检测片承载区,所述检测片承载区相较于所述电池片承载区向下凹...
  • 一种气体传输装置、半导体处理装置及其工作方法,气体传输装置包括:蒸发源装置,其包括入口和出口,其内盛放蒸发源;载气供给管道,其一端与载气源相连通,另一端与所述入口连通,所述载气进入蒸发源装置后携带蒸发源气体形成工艺气体;工艺气体供给管道,其...
  • 本实用新型提出了硅片双插载具、原子层沉积设备。其中硅片双插载具,包括两块立板,固定在立板之间的至少一组齿杆,每组齿杆包括:至少一根底杆,沿其轴线方向设有间隔均匀的多个用于支撑两片硅片的齿槽,且每个齿槽内设有从硅片的下方分离该齿槽内两片硅片的...
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