买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114637039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210135474.1，技术领域涉及：G01T1/02；该发明授权一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器是由王菡滨;毕津顺;卜建辉;赵发展;颜刚平设计研发完成，并于2022-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器在说明书摘要公布了：本发明公开一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器，涉及辐照探测技术领域。半导体辐照探测器包括：半导体场效应管，以及设置在半导体场效应管顶部后端的电容模块；电容模块被配置为在进行预充电后，随着总剂量效应的不断累积，电容模块两端电压发生漂移，施加在所述半导体场效应管的栅极电压基于所述电容模块两端电压的漂移而漂移，确定所述半导体场效应管的漏极电流变化量；所述半导体场效应管被配置为基于所述漏极电流变化量确定辐照剂量变化量，可以使得半导体场效应管在保证了厚栅氧化层的情况下，通过电容模块提高辐照剂量，使得半导体辐照探测器可以融入互补金属氧化物半导体制造工艺中，降低在芯片上集成半导体辐照探测器的成本。

本发明授权一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器在权利要求书中公布了：1.一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器，其特征在于，所述半导体辐照探测器包括：半导体场效应管，以及设置在所述半导体场效应管顶部后端的电容模块；所述电容模块包括至少一个电容；所述电容模块被配置为在进行预充电后，随着总剂量效应的不断累积，所述电容模块两端电压发生漂移，施加在所述半导体场效应管的栅极电压基于所述电容模块两端电压的漂移而漂移，确定所述半导体场效应管的漏极电流变化量；所述半导体场效应管被配置为基于所述漏极电流变化量确定辐照剂量变化量；所述电容包括第一金属极板，以及依次设置在所述第一金属极板上的金属介质层和第二金属极板；所述半导体场效应管包括：源漏及衬底，以及设置在所述源漏及衬底上的栅氧化层、栅极和金属通孔金属层；所述第一金属极板设置在所述金属通孔金属层上方；所述金属通孔金属层包括远离所述源漏及衬底依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；所述第一金属层的第一部分设置在所述源漏及衬底上，所述第一金属层的第二部分设置在所述栅极上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。