恭喜旺宏电子股份有限公司江昱维获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111816606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910337951.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法是由江昱维;张国彬;胡志玮设计研发完成，并于2019-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法，该形成半导体结构的方法包含以下步骤：形成具有第一穿孔的第一介电层于前驱衬底上，第一穿孔贯穿第一介电层；填充牺牲材料于第一穿孔中；形成具有第二穿孔的第二介电层于第一介电层上方，第二穿孔露出第一穿孔中的牺牲材料，其中第二穿孔具有底部宽度，底部宽度小于第一穿孔的顶部宽度；在形成具有第二穿孔的第二介电层后，更换牺牲材料；形成势垒层内衬于第一穿孔的侧壁及第二穿孔的侧壁；以及形成导电材料于第一及第二穿孔内。
本发明授权通孔接触结构、存储器装置及形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包含：形成具有一第一穿孔的一第一介电层于一前驱衬底上，该第一穿孔贯穿该第一介电层；填充一牺牲材料于该第一穿孔中；形成具有一第二穿孔的一第二介电层于该第一介电层上方，该第二穿孔露出该第一穿孔中的该牺牲材料，其中该第二穿孔具有一底部宽度，该底部宽度小于该第一穿孔的一顶部宽度，且该第一穿孔与该第二穿孔于垂直该前驱衬底的一方向上至少部分重叠；形成具有一第二接触孔的一层间介电层于该第二介电层上方，该第二接触孔与该第二穿孔相连通；在形成具有该第二穿孔的该第二介电层后，更换该牺牲材料；形成一势垒层内衬于该第一穿孔的一侧壁、该第二穿孔的一侧壁及该第二接触孔的一侧壁；以及形成一导电材料于该第一及该第二穿孔内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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