恭喜北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所刘子易获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220813B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111514469.3，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权存储器件及其制备方法是由刘子易;朱慧珑设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该存储器件包括：衬底；衬底上的存储单元阵列，包括多个存储单元，其中，每个存储单元包括：水平方向间隔排布的左叠层和右叠层，左叠层和右叠层均包括依次叠置于衬底上的下隔离层、PMOS层、第一NMOS层、上隔离层和第二NMOS层，PMOS层、第一NMOS层和第二NMOS层均包括竖直叠置的第一源漏层、沟道层和第二源漏层，沟道层相对于第一源漏层和第二源漏层横向凹入；栅堆叠，在竖直方向上介于第一源漏层与第二源漏层之间，且设于沟道层的相对两侧以嵌入沟道层的横向凹入。
本发明授权存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括：衬底；所述衬底上的存储单元阵列，包括多个存储单元，其中，每个存储单元包括：水平方向间隔排布的左叠层和右叠层，所述左叠层和右叠层均包括依次叠置于所述衬底上的下隔离层、PMOS层、第一NMOS层、上隔离层和第二NMOS层，所述PMOS层、第一NMOS层和第二NMOS层均包括竖直叠置的第一源漏层、沟道层和第二源漏层，所述沟道层相对于第一源漏层和第二源漏层横向凹入；栅堆叠，在竖直方向上介于所述第一源漏层与第二源漏层之间，且设于所述沟道层的相对两侧以嵌入所述沟道层的横向凹入。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京市经济技术开发区科创十街京东贝科技园11栋4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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