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龙图腾网恭喜元平台技术有限公司申请的专利多光电二极管像素单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112400232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980046088.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权多光电二极管像素单元是由陈松;刘新桥设计研发完成，并于2019-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本多光电二极管像素单元在说明书摘要公布了：提供了一种装置。该装置包括半导体衬底，该半导体衬底包括用于产生第一电荷的第一光电二极管、用于产生第二电荷的第二光电二极管、位于第一光电二极管和第二光电二极管之间的阻挡层，其中，第一光电二极管、阻挡层和第二光电二极管形成堆叠。该装置还包括浮置漏极和一个或更多个栅极，该一个或更多个栅极包括：第一栅极部分和第二栅极部分，第一栅极部分在半导体衬底上，第二栅极部分从前侧表面延伸穿过第一光电二极管并到达阻挡层。第一栅极部分被配置为传导第一信号以控制电荷从第一光电二极管到浮置漏极的流动，并且第二栅极部分被配置为传导用于控制阻挡层的第二信号以控制第二电荷的流动。

本发明授权多光电二极管像素单元在权利要求书中公布了：1.一种多光电像素单元装置，包括：半导体衬底，其包括：前侧表面；第一光电二极管，其被配置为产生第一电荷；第二光电二极管，其被配置为产生第二电荷；阻挡层，其位于所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间，并且被配置为控制所述第二电荷从所述第二光电二极管到所述第一光电二极管的流动，其中，所述第一光电二极管、所述阻挡层和所述第二光电二极管沿着垂直于所述前侧表面的轴形成堆叠；和浮置漏极，其用于存储所述第一电荷或所述第二电荷；一个或更多个栅极，其包括：在所述前侧表面上的第一栅极部分，其在所述第一光电二极管和所述浮置漏极之间的沟道区上方；和第二栅极部分，其从所述前侧表面延伸穿过所述第一光电二极管并具有端部，所述端部沿所述轴终止于所述阻挡层内部或下方，其中，所述第一栅极部分被配置为传导第一信号以控制所述第一电荷从所述第一光电二极管经由所述沟道区到所述浮置漏极的流动，并且其中，所述第二栅极部分被配置为传导用于控制所述阻挡层的第二信号以控制所述第二电荷的流动。

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