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摘要：本申请提供一种氮化镓上生长石墨烯的方法，包括：在氮化镓的外延层上沉积催化剂，形成预设图案的催化层；于催化层的表面生长出预设图案的石墨烯层；采用湿法腐蚀工艺去除催化层。本申请的氮化镓上生长石墨烯的方法，通过沉积的预设图案的催化层以指导石墨烯层的生长，石墨烯层能够按照预设图案的形状和尺寸生长于催化层表面，操作简单方便，且能够实现对石墨烯层的形状的精准控制；由于石墨烯层通过催化层生长于氮化镓的外延层上，且在生成后石墨烯层后，采用湿法腐蚀工艺去除催化层，大大提高了石墨烯层与氮化镓的外延层之间的兼容性，减少界面缺陷，保证了石墨烯层的质量，提高了电子器件的性能和可靠性，适合大规模、批量化生产。
主权项：1.一种氮化镓上生长石墨烯的方法，其特征在于，包括：在氮化镓的外延层上沉积催化剂，形成预设图案的催化层；于所述催化层的表面生长出所述预设图案的石墨烯层1；采用湿法腐蚀工艺去除所述催化层。
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百度查询： 青岛旭芯互联科技研发有限公司 东旭科技集团有限公司 氮化镓上生长石墨烯的方法
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