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摘要：一种氮化镓功率器件及其制备方法，氮化镓功率器件包括衬底（10）、外延层（20）、栅极结构（30）、源极（40）、漏极（50）以及第一介质层（60）；位于栅极结构（30）与漏极（50）之间的外延层（20）定义为外延层（20）的第一区域（A1），位于栅极结构（30）与源极（40）之间的外延层（20）定义为外延层（20）的第二区域（A2）；第一介质层（60）设置于外延层（20）背离衬底（10）的一侧，且位于第一区域（A1），其中，第一介质层（60）包括同层设置且沿栅极结构（30）指向漏极（50）的第一方向延伸的压应力介质层（61）和张应力介质层（62），且在第一方向上，压应力介质层（61）的宽度逐渐减小，张应力介质层（62）的宽度逐渐增加，且在与第一方向相交的第二方向上，压应力介质层（61）与张应力介质层（62）相接，通过上述设置，能够解决栅极（32）靠近漏极（50）端边缘电场强度过高而容易导致器件击穿的问题，达到可不增加甚至降低器件的整体导通电阻的效果。
主权项：1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的一侧；栅极结构、源极和漏极，间隔设置于所述外延层背离所述衬底的一侧，且所述源极和所述漏极位于所述栅极结构的两侧；其中，位于所述栅极结构与所述漏极之间的所述外延层定义为所述外延层的第一区域，位于所述栅极结构与所述源极之间的所述外延层定义为所述外延层的第二区域；第一介质层，设置于所述外延层背离所述衬底的一侧，且位于所述第一区域，其中，所述第一介质层包括同层设置且沿第一方向延伸的压应力介质层和张应力介质层；其中，在所述第一方向上，所述压应力介质层的宽度逐渐减小，所述张应力介质层的宽度逐渐增加；在第二方向上，所述压应力介质层与所述张应力介质层相接，所述第一方向为所述栅极结构指向所述漏极的方向，所述第二方向与所述第一方向相交。
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百度查询： 厦门市三安集成电路有限公司 氮化镓功率器件及其制备方法
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