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摘要：本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
主权项：1.一种III族氮化物晶体的制造方法，其特征在于，包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；以及晶体生长工序，在包含氮的环境下，使所述籽晶的表面接触包含从镓、铝及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体在所述籽晶上生长，所述籽晶准备工序是将所述多个籽晶仅配置于所述基板上设置的六边形区域内部的工序，所述晶体生长工序包括：第一晶体生长工序，在各所述籽晶上使III族氮化物晶体生长为棱锥状，得到相邻的棱锥状的III族氮化物晶体彼此发生了部分结合的第一III族氮化物晶体；以及第二晶体生长工序，在所述第一III族氮化物晶体之上使表面平坦的第二III族氮化物晶体生长，所述基板的外周与在所述籽晶准备工序中配置的距所述基板的外周最近的所述籽晶的中心之间的距离，比将在所述第一晶体生长工序中所生长的棱锥状的所述III族氮化物晶体的膜厚的最大值除以3的平方根而得到的值大。
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