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摘要：本发明涉及异种材料连接技术领域，具体涉及一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法，所述方法是先对SiC表面进行预处理除杂，之后对预处理后的SiC表面进行溅射Cr、Ag两层金属膜的金属化处理，最后采用SnCu或SnAg共晶焊料，将金属化处理后的SiC与铜板装配后进行真空钎焊；其中，SiC表面金属化处理时，SiC基体的温度加热至100～200℃；钎焊的温度为250～280℃，保温时间5～10min。本发明以实现SiC陶瓷与金属Cu的低温可靠连接为研究目的，一方面为电子封装中SiC功率器件的应用提供技术支持，另一方面为陶瓷等难焊和难润湿材料的低温钎焊技术提供设计思路。
主权项：1.一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法，其特征在于，所述方法是先对SiC表面进行预处理除杂，之后对预处理后的SiC表面进行溅射Cr、Ag两层金属膜的金属化处理，最后采用SnCu或SnAg共晶焊料，将金属化处理后的SiC与铜板装配后进行真空钎焊；其中，SiC表面金属化处理时，SiC基体的温度加热至100~200℃；钎焊的温度为250~280℃，保温时间5~10min；溅射Cr金属膜的厚度为200nm，Ag金属膜的厚度为1000-2000nm。
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百度查询： 安徽工程大学 一种碳化硅与散热铜板的低温连接方法
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