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摘要：本发明公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，针对不同功能模块编写对应的测试程序，并按照设计的测试方案进行辐射试验，得到不同测试程序下单粒子功能错误截面联立解得各个独立功能模块的单粒子功能错误截面，为动态可重构芯片的单粒子辐射性能评估提供参考，为动态可重构芯片的抗辐射加固设计提供方向，本发明还公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试系统，包括程控电源模块、上位机控制中心模块和控制区模块，为动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法的实现提供了稳定的测试环境。

主权项：1.一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，动态可重构芯片包括PE处理单元阵列、片上互连网络和控制器，其特征在于，包括以下步骤：1只对控制器进行辐照，获得控制器模块的单粒子敏感性σ1；2对全芯片进行辐照，获得控制器和片上互连网络的配置层敏感性σ2；3对全芯片进行辐照，获得控制器和片上互连网络的配置层及应用层敏感性σ3；4对全芯片进行辐照，获得控制器、片上互连网络配置层和PE处理单元阵列的配置层敏感性σ4；5对全芯片进行辐照，获得控制器、片上互连网络配置层及应用层和PE处理单元的配置层及应用层敏感性σ5；6根据σ1、σ2、σ3、σ4、σ5，得到控制器模块单粒子功能错误截面σCC，片上互连网络配置层单粒子功能错误截面σCR，片上互连网络应用层单粒子功能错误截面σAR，PE处理单元阵列配置层单粒子功能错误截面σCPE，和PE处理单元阵列应用层单粒子功能错误截面σAPE；所述步骤1中，只对控制器进行辐照，根据测试程序P1获取控制器模块的单粒子敏感性σ1，步骤如下：11通过控制器对片上互连网络和PE处理单元阵列执行测试程序P1相应的配置；12判断PE处理单元阵列和片上互连网络中码流与golden码流是否一致，不一致时记为发生控制器单粒子功能错误，执行步骤11并记录控制器单粒子功能错误总数；13循环执行步骤11和12，控制器单粒子功能错误总数达到10次或离子总注量达到1.0E+07粒子cm2，则停止辐照，试验结束；14计算控制器单粒子功能错误总数与离子总注量的比值得到控制器模块的单粒子敏感性σ1；所述步骤2中，对全芯片进行辐照，根据测试程序P2获得控制器和片上互连网络的配置层敏感性σ2，步骤如下：21通过控制器对片上互连网络执行测试程序P2相应的配置；22判断单粒子功能错误的标志为片上互连网络配置码流与golden码流是否一致，不一致时记为发生控制器和片上互连网络配置层的单粒子功能错误，执行步骤21并记录单粒子功能错误总数；23循环执行步骤21和22，单粒子功能错误总数达到10次或离子总注量达到1.0E+07粒子cm2，则停止辐照，试验结束；24计算单粒子功能错误总数与离子总注量的比值得到控制器和片上互连网络的配置层敏感性σ2；所述步骤3中，对全芯片进行辐照，根据测试程序P3及芯片外部输入的测试所需数值，获得控制器和片上互连网络的配置层及应用层敏感性σ3，步骤如下：31通过控制器对片上互连网络执行测试程序P3相应的配置；32判断控制器和片上互连网络配置层的配置码流与golden码流是否一致，同时监测片上互连网络的应用层功能执行是否正确，不一致或不正确时记为发生控制器和片上互连网络的配置层及应用层的单粒子功能错误，执行步骤31并记录单粒子功能错误总数；33循环执行步骤31和32，单粒子功能错误总数达到10次或离子总注量达到1.0E+07粒子cm2，则停止辐照，试验结束；34计算单粒子功能错误总数与离子总注量的比值得到控制器和片上互连网络的配置层及应用层敏感性σ3；所述步骤4中，对全芯片进行辐照，根据测试程序P4获得控制器、片上互连网络配置层及应用层和PE处理单元配置层敏感性σ4，步骤如下：41通过控制器对片上互连网络和PE处理单元阵列执行测试程序P4相应的配置；42判断控制器和片上互连网络和PE处理单元阵列内配置码流与golden码流是否一致，不一致时记为发生控制器、片上互连网络和PE处理单元阵列配置层的单粒子功能错误，执行步骤41并记录单粒子功能错误总数；43循环执行步骤41和42，单粒子功能错误总数达到10次或离子总注量达到1.0E+07粒子cm2，则停止辐照，试验结束；44计算单粒子功能错误总数与离子总注量的比值得到控制器、片上互连网络和PE处理单元的配置层敏感性σ4；所述步骤5中，对全芯片进行辐照，根据测试程序P5及芯片外部输入的测试所需数值，获得控制器、片上互连网络配置层及应用层和PE处理单元的配置层及应用层敏感性σ5，步骤如下：51通过控制器对片上互连网络和PE处理单元阵列执行测试程序P5相应的配置；52判断配置层中控制器、片上互连网络和PE处理单元中的配置信息与golden码流是否一致，同时监测应用层上片上互连网络和PE处理单元功能执行或数据运算是否正确，不一致或不正确时记为控制器、片上互连网络配置层及应用层和PE处理单元的配置层及应用层发生单粒子功能错误，执行步骤51并记录单粒子功能错误总数；53循环执行步骤51和52，单粒子功能错误总数达到10次或离子总注量达到1.0E+07粒子cm2，则停止辐照，试验结束；54计算单粒子功能错误总数与离子总注量的比值得到控制器、片上互连网络配置层及应用层和PE处理单元的配置层及应用层敏感性σ5。

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