买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明公开了一种XeF2刻蚀设备及使用方法，包括运输腔体、上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块，所述运输腔体内部设有机械手，并且分别与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块连接，且运输腔体与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块之间均设置有第二真空阀门；该XeF2刻蚀设备及使用方法能够可对工件晶圆进行真空上载和转运，并且晶圆进行表面等离子体预清洁、XeF2刻蚀、再次表面等离子体预清洁、SAM沉积以及下载，从而完成整个XeF2刻蚀和SAM沉积过程，并且XeF2刻蚀和SAM沉积均能够保证均匀性。

主权项：1.一种XeF2刻蚀设备，其特征在于，包括：上载腔体，其用于上载需要刻蚀的工件或晶圆，且与外界之间设置有第一真空阀门；运输腔体，其内部设有机械手，并且分别与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块连接，且运输腔体与上载腔体、沉积自组装单分子层模块、等离子体刻蚀腔体和XeF2刻蚀工艺模块之间均设置有第二真空阀门；沉积自组装单分子层模块，其包括沉积腔体，用于对工件或晶圆进行SAM沉积；等离子体刻蚀腔体，其用于对工件或晶圆进行等离子体刻蚀；XeF2刻蚀工艺模块，其包括XeF2刻蚀腔体，用于对工件或晶圆进行XeF2刻蚀；XeF2刻蚀设备的使用方法，包括如下步骤：S1、打开第一真空阀门，将晶圆置于上载腔体内，随后关闭第一真空阀门，并对上载腔体内进行抽真空；S2、当上载腔体内真空度达到预定值后，打开上载腔体与运输腔体之间的第二真空阀门，运输腔体内的机械手将晶圆载入值运输腔体内，随后关闭运输腔体与上载腔体之间的第二真空阀门；S3、打开等离子体刻蚀腔体与运输腔体之间的第二真空阀门，运输腔体内的机械手将晶圆载入到等离子体刻蚀腔体内，随后关闭等离子体刻蚀腔体与运输腔体之间的第二真空阀门；S4、在离子体刻蚀腔体内施加电源等产生等离子体，对晶圆作表面等离子体预清洁；S5、等离子体预清洁完毕后，打开离子体刻蚀腔体与运输腔体之间的第二真空阀门，机械手将晶圆取出，同时，打开XeF2刻蚀腔体与运输腔体之间的第二真空阀门，运输腔体内的机械手将晶圆载入XeF2刻蚀腔体内，随后关闭XeF2刻蚀腔体与运输腔体之间的第二真空阀门；S6、在XeF2刻蚀腔体内，对晶圆实施多个非稀释脉冲刻蚀工艺、多个稀释脉冲刻蚀工艺、多个非稀释连续刻蚀工艺或者多个稀释连续刻蚀工艺中的任意一种，以完成对晶圆的XeF2刻蚀；S7、XeF2刻蚀结束后，打开XeF2刻蚀腔体与运输腔体之之间的第二真空阀门，机械手将晶圆取出，同时，打开离子体刻蚀腔体与运输腔体之间的第二真空阀门，机械手将晶圆放入离子体刻蚀腔体内，在离子体刻蚀腔体内，施加电源等产生等离子体，对晶圆再次作表面等离子体预清洁；S8、等离子体预清洁完毕后，打开离子体刻蚀腔体与运输腔体之间的第二真空阀门，机械手将晶圆取出，同时，打开沉积腔体与运输腔体之间的第二真空阀门，机械手将晶圆放入沉积腔体内；S9、在沉积腔体内，对晶圆采用气泡法对晶圆沉积SAM材料或者对晶圆采用气化法对晶圆沉积SAM材料；S10、SAM沉积结束后，打开沉积腔体与沉积腔体之间的第二真空阀门，机械手将晶圆取出，同时打开沉积腔体与上载腔体之间的第二真空阀门，机械手将晶圆放入上载腔体中；S11、将上载腔体破真空，即可将晶圆取出，完成整个XeF2刻蚀和SAM沉积过程。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 唐云俊 一种XeF2刻蚀设备及使用方法