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摘要：本发明的课题是提供抗蚀剂形状良好的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的手段，涉及一种EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，还包含含有烃基的磺酸根离子与离子的盐。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，水解性有机硅烷包含选自式1：R1aSiR24‑a式1和式2：〔R3cSiR43‑c〕2Yb式2中的至少1种有机硅化合物、其水解物或其水解缩合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在上述抗蚀剂下层膜上涂布EUV抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将上述抗蚀剂膜进行EUV曝光的工序；在曝光后将抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序。

主权项：1.水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物、以及磺酸根离子与离子的盐的用途，用于制造EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,所述EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物由所述水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物、所述磺酸根离子与离子的盐、溶剂、以及根据需要作为任选成分的酸、水、醇、固化催化剂、产酸剂、吸光性化合物和表面活性剂组成，所述磺酸根离子为选自下述式中的磺酸根离子， 所述离子为包含至少一个具有芳香族环的有机基团的锍离子或铵离子，所述水解性有机硅烷由选自式1和式2中的至少1种有机硅化合物组成，R1aSiR24-a式1式1中，R1表示烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基或链烯基，或者为环氧丙氧基甲基、环氧丙氧基乙基、环氧丙氧基丙基、环氧丙氧基丁基、环氧环己基、丙烯酰基甲基、丙烯酰基乙基、丙烯酰基丙基、甲基丙烯酰基甲基、甲基丙烯酰基乙基、甲基丙烯酰基丙基、乙基巯基、丁基巯基、己基巯基、辛基巯基、被烷氧基取代了的芳基、被酰氧基取代了的芳基、氰脲酸酯亚烷基、羟基烷基、羟基亚烷基、环状氨基、环状氨基亚烷基、氰基乙基、氰基丙基或它们的组合，并且R1通过Si-C键与硅原子结合，R2表示烷氧基、酰氧基或卤基，a表示0～3的整数，〔R3cSiR43-c〕2Yb式2式2中，R3表示烷基，R4表示烷氧基、酰氧基或卤基，Y表示亚烷基或亚芳基，b表示0或1的整数，c为0或1的整数。

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百度查询： 日产化学工业株式会社 含有磺酸𬭩盐的含硅EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物