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摘要：本发明提供一种相变存储器的制造方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的方法包括：积层体形成步骤，在半导体衬底上形成积层体，积层体包括从下至上依次形成的相变材料层，氮化钛层，氮化硅层，碳掩模层，含硅抗反射层，以及光阻层，其中，含硅抗反射层的厚度小于80纳米；光刻步骤，对光阻层进行曝光显影，形成图案化光阻层；第一刻蚀步骤，通过图案化光阻层对含硅抗反射层进行刻蚀，形成图案化含硅抗反射层；第二刻蚀步骤，形成图案化碳掩模层；第三刻蚀步骤，形成图案化氮化硅层；以及第四刻蚀步骤，形成图案化氮化钛层和图案化相变材料层。通过本发明的相变存储器的制造方法，可以降低制造成本，提高制造速度。
主权项：1.一种相变存储器的制造方法，包括：积层体形成步骤S001，在半导体衬底上形成积层体100，积层体100包括从下至上依次形成的相变材料层1，氮化钛层2，氮化硅层3，碳掩模层4，含硅抗反射层5，以及光阻层6，其中，含硅抗反射层5的厚度小于80纳米；光刻步骤S002，对光阻层6进行曝光显影，形成图案化光阻层16；第一刻蚀步骤S003，通过图案化光阻层16对含硅抗反射层5进行刻蚀，形成图案化含硅抗反射层15；第二刻蚀步骤S004，通过图案化含硅抗反射层15对碳掩模层4进行刻蚀，形成图案化碳掩模层14；第三刻蚀步骤S005，通过图案化碳掩模层14对氮化硅层3进行刻蚀，形成图案化氮化硅层13；以及第四刻蚀步骤S006，通过图案化氮化硅层13对氮化钛层2和相变材料层1进行刻蚀，形成图案化氮化钛层12和图案化相变材料层11。
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百度查询： 北京时代全芯存储技术股份有限公司 相变存储器的制造方法
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