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摘要：本公开提供了一种单向写入磁电耦合磁存储器，包括：自旋轨道耦合层；磁电耦合层单元，包括分别对称形成于自旋轨道耦合层上下两侧的第一磁电耦合层和第二磁电耦合层；自由层单元，包括分别对称形成于第一磁电耦合层外的第一自由层和第二磁电耦合层外的第二自由层；势垒层单元，包括分别对称形成于第一自由层外的第一势垒层和第二自由层外的第二势垒层；参考层单元，包括分别对称形成于第一势垒层外的第一参考层和第二势垒层外的第二参考层；钉扎层单元，包括分别对称形成于第一参考层外的第一钉扎层和第二参考层外的第二钉扎层；顶电极单元，读电极单元，以及写电极单元。同时还提供上述磁存储器的制备方法及磁存储器的阵列连接电路。
主权项：1.一种单向写入磁电耦合磁存储器，包括：自旋轨道耦合层；磁电耦合层单元，包括分别对称形成于自旋轨道耦合层上下两侧的第一磁电耦合层和第二磁电耦合层；自由层单元，包括分别对称形成于第一磁电耦合层外的第一自由层和第二磁电耦合层外的第二自由层；势垒层单元，包括分别对称形成于第一自由层外的第一势垒层和第二自由层外的第二势垒层；参考层单元，包括分别对称形成于第一势垒层外的第一参考层和第二势垒层外的第二参考层；钉扎层单元，包括分别对称形成于第一参考层外的第一钉扎层和第二参考层外的第二钉扎层；顶电极单元，包括分别形成于第一钉扎层和第二钉扎层外的顶电极；读电极单元，包括分别形成于第一自由层和第二自由层两端的读电极；以及写电极单元，包括分别形成于自旋轨道耦合层两端的写电极。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 单向写入磁电耦合磁存储器、制备方法及磁存储器的阵列连接电路
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