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摘要：一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩SOT结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。
主权项：1.一种磁存储器装置，包括：衬底上的缓冲层；所述缓冲层上的磁隧道结结构，所述磁隧道结结构包括在所述缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层；以及所述磁隧道结结构上的自旋轨道扭矩结构，所述自旋轨道扭矩结构包括拓扑绝缘体材料，其中，所述自由层包括哈斯勒材料，其中，所述自旋轨道扭矩结构包括：第一电极层，其位于所述磁隧道结结构上，并且包括亚铁磁哈斯勒材料，所述第一电极层与所述自由层接触，并且所述第一电极层和所述自由层的晶体结构相同；以及第二电极层，其位于所述第一电极层上，并且包括所述拓扑绝缘体材料。
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