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摘要：本发明提供了一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚、籽晶组件、加热组件、保温组件和控温组件；籽晶组件包括籽晶杆、设置在籽晶杆的下端沿径向对称分布的多个籽晶托和与籽晶杆的下端轴向连接的搅拌件；加热组件用于对坩埚进行加热，为碳化硅晶体生长提供稳定热源；保温组件用于对所述坩埚进行保温；控温组件用于监测和调控晶体生长过程中碳化硅籽晶的径向温差。本发明提供的碳化硅单晶的液相生长装置可以为碳化硅晶体生长过程提供充足的碳源和适合碳化硅晶体生长的径向温差，可有效提高晶体生长过程中的原料利用率和晶体生长效率，同时生长多块高质量碳化硅单晶。
主权项：1.一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置，其特征在于，所述装置包括坩埚、籽晶组件、加热组件、保温组件和控温组件；所述籽晶组件包括籽晶杆、设置在所述籽晶杆的下端沿径向对称分布的多个籽晶托和与所述籽晶杆的下端轴向连接的搅拌件；所述加热组件用于对所述坩埚进行加热，为碳化硅晶体生长提供稳定热源；所述保温组件用于对所述坩埚进行保温；所述控温组件用于监测和调控晶体生长过程中碳化硅籽晶的径向温差。
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百度查询： 北京晶格领域半导体有限公司 一种可同时生长多块碳化硅单晶的液相生长装置及方法
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