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摘要：本说明书总体上涉及一种混合调制器，以及将混合材料如绝缘体上铌酸锂集成到绝缘体上硅Silicononinsulator，SOI晶圆上以实现混合硅光子集成的方法，同时保持与标准硅光子元件的兼容性。特别是，SOI和绝缘体上铌酸锂Lithiumniobateoninsulators，LNOI被键合在一起，使调制器能够通过单个过渡层与铌酸锂器件或硅器件兼容。
主权项：1.一种混合硅光子调制器，包括：第一部分，包括第一氧化层、第一衬底层和波导，其中，所述第一氧化层包括一个或多个蚀刻区域；第二部分，包括非互补金属氧化物半导体CMOS材料层和第二氧化层；以及至少两个电极，其中，所述第一部分通过所述至少两个电极和或通过所述非互补金属氧化物半导体CMOS材料层与所述第二部分键合，其中，所述调制器与铌酸锂LN器件和硅Si器件兼容。
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百度查询： 先进微晶圆私人有限公司 一种混合硅光子调制器及其制造方法
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