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摘要：本发明公开一种单晶硅棒的制备方法及单晶硅棒。制备方法包括：计算对应于待拉制单晶硅棒的头部的挥发性掺杂剂与非挥发性掺杂剂之间的掺杂比例；利用待拉制单晶硅棒的头部电阻率和该掺杂比例，计算挥发性掺杂剂的第一理论掺杂浓度和非挥发性掺杂剂的第二理论掺杂浓度；利用第一理论掺杂浓度和头部挥发占比，计算挥发性掺杂剂的补充掺杂浓度；确定单晶炉内剩余硅溶液的情况，按照补充掺杂浓度、第一理论掺杂浓度、第二理论掺杂浓度、单晶炉内剩余硅溶液的情况及硅溶液的添加量，计算挥发性掺杂剂的第一实际添加量和非挥发性掺杂剂的第二实际添加量；按照第一实际添加量和第二实际添加量。以精准调控单晶硅棒电阻率，保证单晶硅棒轴向上电阻率一致。

主权项：1.一种单晶硅棒的制备方法，其特征在于，包括：步骤1、基于待拉制单晶硅棒的尾部预设固化率，计算对应于所述待拉制单晶硅棒的头部的挥发性掺杂剂与非挥发性掺杂剂之间的掺杂比例；步骤2、利用所述待拉制单晶硅棒的头部电阻率和对应于所述待拉制单晶硅棒的头部的挥发性掺杂剂与非挥发性掺杂剂之间的掺杂比例，分别计算待添加到硅溶液中的挥发性掺杂剂的第一理论掺杂浓度和非挥发性掺杂剂的第二理论掺杂浓度；步骤3、计算所述挥发性掺杂剂的对应于所述待拉制单晶硅棒的头部的头部预设挥发占比，利用所述第一理论掺杂浓度和所述挥发性掺杂剂的对应于所述待拉制单晶硅棒的头部的预设头部挥发占比，计算所述挥发性掺杂剂的补充掺杂浓度；步骤4、确定单晶炉内剩余硅溶液的情况，计算剩余硅溶液的剩余总量以及剩余硅溶液中对应于所述挥发性掺杂剂的第一剩余掺杂浓度和对应于所述非挥发性掺杂剂的第二剩余掺杂浓度；步骤5、利用所述补充掺杂浓度、所述第一理论掺杂浓度、所述第一剩余掺杂浓度、所述剩余硅溶液的剩余总量和所述硅溶液的预设添加量，计算所述挥发性掺杂剂的第一实际添加量；利用所述第二理论掺杂浓度、所述第二剩余掺杂浓度、所述剩余硅溶液的剩余总量和所述硅溶液的添加量，计算所述非挥发性掺杂剂的第二实际添加量；步骤6、按照所述第一实际添加量和所述第二实际添加量，向所述硅溶液中添加非挥发性掺杂剂和挥发性掺杂剂，利用包含所述非挥发性掺杂剂和挥发性掺杂剂的硅溶液，拉制所述待拉制单晶硅棒。

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