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摘要：本实用新型公开了一种瞬态抑制二极管，包括：N型衬底；第一扩散区，位于N型衬底的第一表面，第一扩散区的多数载流子类型与N型衬底的多数载流子类型不同；第二扩散区，位于N型衬底的第二表面；第三扩散区，位于第一扩散区远离N型衬底的一侧，第三扩散区的多数载流子类型与第一扩散区的多数载流子类型不同；第一金属层，第一金属层位于第三扩散区远离N型衬底的一侧，且与第一扩散区接触；第二金属层，第二金属层位于第二扩散区远离N型衬底的一侧，且与第二扩散区接触。第三扩散区为N型区，第三扩散区中的磷等施主杂质可以直接与金属反应，进而生成第一金属层，提升了瞬态抑制二极管的良率和可靠性。
主权项：1.一种瞬态抑制二极管，其特征在于，包括：N型衬底，所述N型衬底包括相对的第一表面和第二表面；第一扩散区，位于所述N型衬底的第一表面，所述第一扩散区的多数载流子类型与所述N型衬底的多数载流子类型不同；第二扩散区，位于所述N型衬底的第二表面；第三扩散区，位于所述第一扩散区远离所述N型衬底的一侧，且与所述第一扩散区的至少部分接触，所述第三扩散区的多数载流子类型与所述第一扩散区的多数载流子类型不同；第一金属层，所述第一金属层位于所述第三扩散区远离所述N型衬底的一侧，且与所述第一扩散区接触；第二金属层，所述第二金属层位于所述第二扩散区远离所述N型衬底的一侧，且与所述第二扩散区接触。
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百度查询： 安徽大鹏半导体有限公司 瞬态抑制二极管
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