龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本实用新型公开了一种浪涌抑制结构，该结构包括衬底；衬底包括：第一区；第二区，第二区设置于第一区的一侧，第二区的材料包括第一类型半导体材料；多个第三区，第三区间隔设置于第一区远离第二区的一侧，第三区的材料包括第二类型半导体材料；第四区，第四区设置于第三区远离第一区的一侧，第四区与第三区和第一区相邻设置；第四区的材料包括第一类型半导体材料；在第四区远离第三区的一侧，第四区具有多个凸起；多个第五区，第五区设置于相邻凸起之间；第五区的材料包括第二类型半导体材料。本实用新型有效降低了浪涌电流产生的压降，使得浪涌抑制结构在性能方面有更加优越的性能并且在成本上有很大的竞争优势。
主权项：1.一种浪涌抑制结构，其特征在于，包括衬底；所述衬底包括：第一区；第二区，所述第二区设置于所述第一区的一侧，所述第二区的材料包括第一类型半导体材料；多个第三区，所述第三区间隔设置于所述第一区远离所述第二区的一侧，所述第三区的材料包括第二类型半导体材料；第四区，所述第四区设置于所述第三区远离所述第一区的一侧，所述第四区与所述第三区和所述第一区相邻设置；所述第四区的材料包括所述第一类型半导体材料；在所述第四区远离所述第三区的一侧，所述第四区具有多个凸起；多个第五区，所述第五区设置于所述相邻所述凸起之间；所述第五区的材料包括所述第二类型半导体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大鹏半导体有限公司 一种浪涌抑制结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号