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摘要：本公开提供了一种存储器元件。该存储器元件包括基底与第一阶层至第四阶层。第一阶层位于在基底上，包括多个第一晶体管与多个第二晶体管。多个第一晶体管包括多个群组。第二阶层包括复合堆叠结构。第三阶层包括多个局部位线与多个局部源极线。每一个局部位线连接多个第一晶体管的其中之一的第一端。每一个局部源极线连接多个第二晶体管的其中之一的第一端。第四阶层包括多个全局位线与共同源极线。每一个全局位线连接多个群组的其中之一的多个第一晶体管的多个第二端。共同源极线连接每一个第二晶体管的第二端。本发明实施例可以应用于3DAND闪存中。
主权项：1.一种存储器元件，包括：基底；第一阶层，位于在所述基底上，包括多个第一晶体管与多个第二晶体管，其中所述多个第一晶体管包括多个群组；第二阶层，在所述第一阶层上，包括复合堆叠结构，所述复合堆叠结构包括第一堆叠结构与第二堆叠结构；第三阶层，位于所述第二阶层上，包括：多个局部位线，每一所述多个局部位线连接所述多个第一晶体管的其中之一的第一端；以及多个局部源极线，每一所述多个局部源极线连接所述多个第二晶体管的其中之一的第一端；第四阶层，位于所述第三阶层上，包括：多个全局位线，每一所述全局位线连接所述多个群组的其中之一的多个第一晶体管的多个第二端；以及共同源极线，连接每一所述多个第二晶体管的第二端。
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百度查询： 旺宏电子股份有限公司 存储器元件
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