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申请/专利权人：株式会社佛罗迪亚
摘要：本发明所涉及的存储器单元MC中，即使提高鳍部S2内的杂质浓度来在鳍部S2表面使漏极区域12a和源极区域12b靠近以实现小型化，通过选定鳍部S2的形状，从而也能够使存储器栅极MG与鳍部S2之间的电位差变小，抑制干扰的发生，由此，存储器单元MC能够实现小型化的同时，抑制干扰的发生。
主权项：1.一种存储器单元，其特征在于，包括：半导体基板，由绝缘层覆盖；鳍部，形成在所述绝缘层上；存储器栅极构造体，层叠有下部存储器栅极绝缘膜、电荷存储层、上部存储器栅极绝缘膜及存储器栅极，并以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；第一选择栅极构造体，在第一选择栅极绝缘膜上设置有第一选择栅极，沿形成在所述存储器栅极构造体的一侧侧壁的一侧壁隔板，以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；第二选择栅极构造体，在第二选择栅极绝缘膜上设置有第二选择栅极，沿形成在所述存储器栅极构造体的另一侧侧壁的另一侧壁隔板，以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；漏极区域，在与所述第一选择栅极构造体邻接的所述鳍部的表面，以与所述第一选择栅极绝缘的方式设置，并电连接有位线；源极区域，在与所述第二选择栅极构造体邻接的所述鳍部的表面，以与所述第二选择栅极绝缘的方式设置，并电连接有源极线，所述第一选择栅极构造体、所述存储器栅极构造体及所述第二选择栅极构造体设置在所述漏极区域与所述源极区域之间，在所述鳍部的对应设置有所述存储器栅极构造体、所述一侧壁隔板、所述第一选择栅极构造体、所述另一侧壁隔板及所述第二选择栅极构造体的区域的上表面，设置有上部绝缘层，所述绝缘层包括：层状绝缘层，设置在所述半导体基板上；下部绝缘层，设置在所述层状绝缘层上，并与所述层状绝缘层一体地形成，且由与所述层状绝缘层相同的材料构成，在所述下部绝缘层表面设置有鳍部，从所述半导体基板，依次层叠所述层状绝缘层、所述下部绝缘层、所述鳍部及所述上部绝缘层，在与所述鳍部延伸设置的长度方向和所述鳍部的高度方向垂直的方向上的所述层状绝缘层的宽度尺寸大于所述下部绝缘层的宽度尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社佛罗迪亚 存储器单元及非易失性半导体存储装置
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