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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上，第一外延层包括外延层本体和沟槽，沟槽位于外延层本体中；第二外延层，至少位于部分的沟槽中，第二外延层的掺杂类型与第一外延层的掺杂类型不同。本申请解决了现有技术中SIC二极管通过离子注入形成的掺杂区的掺杂浓度分布不均匀导致器件的耐高压能力较弱的问题。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底的表面上，所述第一外延层包括外延层本体和沟槽，所述沟槽位于所述外延层本体中；第二外延层，至少位于部分的所述沟槽中，所述第二外延层的掺杂类型与所述第一外延层的掺杂类型不同，所述半导体结构还包括：第三外延层，位于所述第二外延层的远离所述衬底的表面上，所述第三外延层的掺杂类型与所述第二外延层的掺杂类型相同，所述第三外延层的掺杂浓度小于所述第二外延层的掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体器件
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