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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明的实施例包括形成半导体器件的方法。方法包括提供衬底，衬底具有设置在衬底上方的多个第一半导体层和多个第二半导体层。方法也包括：图案化第一半导体层和第二半导体层以形成第一鳍和第二鳍；从第一鳍和第二鳍去除第一半导体层，从而使得图案化的第二半导体层的第一部分成为第一鳍中的第一悬浮纳米结构，并且使得图案化的第二半导体层的第二部分成为第二鳍中的第二悬浮纳米结构；以及将阈值修改杂质掺杂至第一鳍的第一悬浮纳米结构中。杂质使得形成有第一鳍和第二鳍的晶体管具有不同的阈值电压。本申请的实施例还涉及半导体结构。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有设置在所述衬底上方的多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层具有不同的材料成分，并且在垂直方向上相对于彼此交替设置；图案化所述第一半导体层和所述第二半导体层以形成第一鳍和第二鳍；从所述第一鳍的第一沟道区域和所述第二鳍的第二沟道区域中去除所述第一半导体层，从而使得所述图案化的第二半导体层的第一部分成为所述第一鳍的所述第一沟道区域中的第一悬浮纳米结构，并且使得所述图案化的第二半导体层的第二部分成为所述第二鳍的所述第二沟道区域中的第二悬浮纳米结构；将阈值修改杂质掺杂至所述第一沟道区域中的所述第一悬浮纳米结构中；在所述第一鳍上方形成第一栅极堆叠件，其中，所述第一栅极堆叠件的部分包裹所述第一沟道区域中的掺杂的所述第一悬浮纳米结构，从而形成具有第一阈值电压的第一晶体管；以及在所述第二鳍上方形成第二栅极堆叠件，其中，所述第二栅极堆叠件的部分包裹所述第二沟道区域中的所述第二悬浮纳米结构，从而形成具有比所述第一阈值电压大的第二阈值电压的第二晶体管。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构和形成半导体器件的方法
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