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用于处理基板的设备和用于处理基板的方法 

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申请/专利权人:细美事有限公司

摘要:本公开提供了一种用于处理基板的设备。在一个实施例中,一种基板处理设备包括:处理腔室,所述处理腔室具有内部空间;支撑单元,所述支撑单元将基板支撑在所述内部空间中;处理气体供应单元,所述处理气体供应单元用于将处理气体供应到所述内部空间;以及等离子体源,所述等离子体源在所述内部空间中将所述处理气体激发至等离子体状态,其中所述处理气体供应单元包括加热器,所述加热器加热所述处理气体。

主权项:1.一种用于处理基板的设备,所述设备包括:处理腔室,具有内部空间;支撑单元,用于将基板支撑在所述内部空间中;第一处理气体供应单元,用于将第一处理气体供应到所述内部空间;等离子体源,用于在所述内部空间中将所述第一处理气体激发至等离子体状态;以及第二处理气体供应单元,用于将第二处理气体供应到所述内部空间,其中所述第一处理气体供应单元包括:气体供应管线,被连接到所述处理腔室以将所述第一处理气体供应到所述内部空间;以及加热器,被设置在所述气体供应管线处以加热所述第一处理气体,其中所述气体供应管线包括:第一供应管线,用于将所述第一处理气体供应到所述内部空间的第一区域;以及第二供应管线,用于将所述第一处理气体供应到所述内部空间的第二区域,其中所述加热器包括:第一加热器,被设置在所述第一供应管线处;以及第二加热器,被设置在所述第二供应管线处,并且其中所述第一加热器和所述第二加热器彼此独立地受控于控制单元,其中所述第一处理气体为NF3,并且所述第二处理气体为NH3,其中所述设备还包括用于控制所述加热器的控制单元,其中所述控制单元控制所述加热器以将所述第一处理气体加热至所述第一处理气体的热解前温度。

全文数据:

权利要求:

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