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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，制造方法包括：提供半导体基体，半导体基体包括衬底、设置在衬底上的半导体层，其中，所述半导体基体划分有阵列区域；在阵列区域的半导体基体中形成多个栅极堆叠结构，并在栅极堆叠结构在第一方向上的两侧的半导体层中设置源极区和漏极区；即本申请通过在阵列区域衬底之上的半导体层中设置源极区和漏极区，抬升了源极区和漏极区的高度，降低了刻蚀形成源极区接触和漏极区接触的难度，使得接触孔工艺和逻辑工艺有效兼容，进而能有效提升存储器件的存储密度，降低成本。
主权项：1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包括衬底、设置在所述衬底上的半导体层，其中，所述半导体基体划分有阵列区域和外围区域；在所述阵列区域的所述半导体基体中形成多个栅极堆叠结构，并在每一所述栅极堆叠结构在第一方向上的两侧以及所述栅极堆叠结构之间的所述半导体层中设置源极区和漏极区；其中，所述半导体基体上形成有第一层间介质层，所述阵列区域的第一层间介质层设置在半导体层之上，所述外围区域的第一层间介质层设置在衬底之上，所述阵列区域的第一层间介质层的厚度小于所述外围区域的所述第一层间介质层的厚度，且所述阵列区域的第一层间介质层的底部高于所述外围区域的第一层间介质层的底部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 存储器件的制造方法及存储器件
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