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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，封装结构包括：芯片堆叠体，包括第一子堆叠体和第二子堆叠体；所述第一子堆叠体包括背面对背面设置的两层芯片，且所述第一子堆叠体的两层所述芯片之间具有第一填充层；所述第二子堆叠体包括正面对正面或正面对背面设置的两层芯片；第二子堆叠体的两层所述芯片之间具有第二填充层，所述第一填充层和所述第二填充层采用不同的材料。本公开实施例至少可以提高封装结构的性能。
主权项：1.一种封装结构，其特征在于，包括：芯片堆叠体，包括第一子堆叠体和第二子堆叠体；所述第一子堆叠体包括背面对背面设置的两层芯片，且所述第一子堆叠体的两层所述芯片之间具有第一填充层；所述第二子堆叠体包括正面对正面或正面对背面设置的两层芯片；所述第二子堆叠体的两层所述芯片之间具有第二填充层，所述第一填充层和所述第二填充层采用不同的材料。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 封装结构及其制造方法
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