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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明实施例提供一种存储器及其制作方法，存储器包括：沿第一方向延伸的有源区和沿第二方向延伸的字线，所述字线部分位于相邻所述有源区之间，所述字线包括栅导电层，在平行于所述第一方向上，所述有源区具有朝向所述字线的端面，且所述端面与所述栅导电层之间的间距的极差处于预设范围内。本发明有利于降低字线造成的相邻有源区之间的信号干扰。
主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：沿第一方向延伸的多个有源区；所述有源区之间的隔离结构；沿第二方向延伸的多个字线，所述第一方向与所述第二方向不垂直；所述字线包括栅导电层和栅介电层；其中，所述栅导电层包括位于所述隔离结构内的弯折部；在所述第一方向上，所述弯折部位于相邻有源区的两端之间的区段中同侧的侧壁上的栅介电层的厚度不均匀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器及其制作方法
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