龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种混合键合方法及混合键合结构。第一半导体结构和第二半导体结构的加工方法均包括：半导体基底包括衬底和形成在衬底表面的介质层，介质层上间隔形成有金属区域，绝缘层覆盖介质层及金属区域；在绝缘层的表面刻蚀，形成若干键合垫区域，以及阻隔槽区域；在阻隔槽区域向介质层的方向刻蚀通孔，至金属区域暴露；沉积导电层，导电层覆盖通孔和阻隔槽区域，导电层的表面与键合垫区域的表面齐平；向导电层内掺杂金属杂质；将第一半导体结构和第二半导体结构的键合面对齐，并进行退火处理，在导电层处形成氧化隔离区，氧化隔离区形成在阻隔槽区域所在的区域。
主权项：1.一种混合键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待键合的第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构和第二半导体结构的加工方法均包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底和形成在衬底表面的介质层，所述介质层上间隔形成有金属区域；在半导体基底上沉积绝缘层，所述绝缘层覆盖介质层及金属区域；在所述绝缘层的表面刻蚀，形成若干键合垫区域，以及位于任意相邻的键合垫区域之间为阻隔槽区域；所述第一半导体结构和所述第二半导体结构键合时对应的阻隔槽区域的边界对齐，所述键合垫区域对齐；在所述阻隔槽区域向介质层的方向刻蚀通孔，至金属区域暴露；沉积导电层，所述导电层覆盖所述通孔和所述阻隔槽区域，导电层的表面与键合垫区域的表面齐平；向导电层内掺杂金属杂质；将第一半导体结构和第二半导体结构的键合面对齐，并进行退火处理，在所述导电层处形成氧化隔离区，所述氧化隔离区形成在所述阻隔槽区域所在的区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 混合键合方法及混合键合结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号