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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种键合结构及其形成方法、键合方法，该键合结构包括第一介质层、金属互连线、导电连接部、第一阻挡层、第二介质层以及键合部，其中：金属互连线嵌设于第一介质层内；导电连接部穿设于第一介质层内，且其一端与金属互连线连接，另一端与第一介质层的顶面齐平；第一阻挡层覆盖第一介质层和导电连接部的表面；第二介质层覆盖第一阻挡层的表面；键合部贯穿第一阻挡层和第二介质层，并与导电连接部远离金属互连线的端部连接，键合部呈环形，且键合部在导电连接部上的正投影覆盖导电连接部的边缘区域。本公开的键合结构可减少键合缺陷，提高产品良率。
主权项：1.一种键合结构，其特征在于，包括：第一介质层以及嵌设于所述第一介质层内的金属互连线；导电连接部，穿设于所述第一介质层内，且其一端与所述金属互连线连接，另一端与所述第一介质层的顶面齐平；第一阻挡层，覆盖所述第一介质层和所述导电连接部的表面；第二介质层，覆盖所述第一阻挡层的表面；键合部，贯穿所述第一阻挡层和所述第二介质层，并与所述导电连接部远离所述金属互连线的端部连接，所述键合部呈环形，且所述键合部在所述导电连接部上的正投影覆盖所述导电连接部的边缘区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 键合结构及其形成方法、键合方法
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