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申请/专利权人：住友化学株式会社
摘要：本发明的氮化镓单晶基板提高在氮化镓单晶基板上制作的器件特性。氮化镓单晶基板具有50mm以上的直径，且最接近主面的低指数晶面为0001面，其中，在对主面实施了基于碱系蚀刻液的蚀刻时形成的蚀坑的密度小于1×106cm‑2，在将蚀坑的直径的直方图中出现的峰中的、在直径最小的一侧出现的第一峰的直径设为a时，直径超过4a的蚀坑的总数为构成第一峰的蚀坑的数量的11000以下。
主权项：1.一种氮化镓单晶基板，其具有50mm以上的直径，且最接近主面的低指数晶面为0001面，其中，在对所述主面实施了基于碱系蚀刻液的蚀刻时形成的蚀坑的密度小于1×106cm-2，在将所述蚀坑的直径的直方图中出现的峰中的、在直径最小的一侧出现的第一峰的直径设为a时，直径超过4a的蚀坑的总数为构成所述第一峰的蚀坑的数量的11000以下。
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