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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于半导体生长技术领域，提出了一种氮化镓单晶衬底及制备方法。GaN单晶衬底制备方法包括以下步骤：首先保证GaN晶圆表面洁净、无杂质污染，再放置于高温管式炉中进行退火处理，得到表面具有均匀孔隙分布的多孔GaN单晶。该工艺采用一步高温退火技术，操作简单、可控、不涉及复杂的化学反应步骤，制备的多孔GaN单晶可直接作为衬底物质用于高质量GaN外延，无需额外的后处理，同时，以该项工艺制备的多孔GaN单晶作为衬底进行外延得到的GaN外延层的位错密度显著降低，晶体质量得到了显著改善。
主权项：1.一种氮化镓单晶衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将异质GaN单晶或者同质GaN单晶进行清洗；（2）将清洗后GaN单晶放入高温管式炉中，通入气体，使温度由室温按恒定升温速率升高至800~1500℃后自然降至室温，得到氮化镓单晶衬底。
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权利要求：
百度查询： 山东大学 一种氮化镓单晶衬底及制备方法
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