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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本申请实施例涉及一种MEMS器件及其制备方法、MEMS微镜，其中MEMS器件的制备方法包括：提供衬底，衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面，衬底包括从第一表面至第二表面的方向依次层叠的第一半导体材料层、第一介质层、第二半导体材料层、第二介质层、以及第三半导体材料层，第一介质层包括掩膜部，掩膜部包括掩膜区和非掩膜区；在第二表面侧形成器件结构层，器件结构层的至少部分用于形成可动结构；在第一表面侧对第一半导体材料层进行刻蚀，以形成暴露第一介质层的掩膜部的第一凹槽；以第一介质层的位于掩膜区的部分为掩膜，通过第一凹槽进行刻蚀，以在第二半导体材料层中形成暴露第二介质层的多个第二凹槽，第二半导体材料层的位于相邻两第二凹槽之间的部分被保留以形成加强筋结构，在垂直于第一表面和第二表面的方向上，加强筋结构位于可动结构的投影范围内。由此，使得加强筋结构厚度的均匀性更好。
主权项：1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括从所述第一表面至所述第二表面的方向依次层叠的第一半导体材料层、第一介质层、第二半导体材料层、第二介质层、以及第三半导体材料层，所述第一介质层包括掩膜部，所述掩膜部包括掩膜区和非掩膜区；在所述第二表面侧形成器件结构层，所述器件结构层的至少部分用于形成可动结构；在所述第一表面侧对所述第一半导体材料层进行刻蚀，以形成暴露所述第一介质层的所述掩膜部的第一凹槽；以所述第一介质层的位于所述掩膜区的部分为掩膜，通过所述第一凹槽进行刻蚀，以在所述第二半导体材料层中形成暴露所述第二介质层的多个第二凹槽，所述第二半导体材料层的位于相邻两所述第二凹槽之间的部分被保留以形成加强筋结构，在垂直于所述第一表面和所述第二表面的方向上，所述加强筋结构位于所述可动结构的投影范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 MEMS器件及其制备方法、MEMS微镜
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