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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明涉及一种高灵敏度VLEED自旋分析器靶材的原位制备方法，包括：使用分子束外延或磁控溅射技术原位真空制备表面原子级平整的高自旋极化率半金属磁性薄膜靶材，如Co2FeAl和Fe3O4，同时表面具有长时间的稳定性，从而增大电子在+Z及‑Z方向磁化的铁磁性靶上反射率的相对差异以及电子在薄膜上的反射率，提高VLEED电子自旋分析器的灵敏度以及稳定性。
主权项：1.一种高灵敏度VLEED自旋分析器靶材的原位制备方法，其特征在于，使用分子束外延或磁控溅射技术原位真空制备表面原子级平整的高自旋极化率半金属磁性薄膜靶材，包括Co2FeAl和Fe3O4001薄膜，其表面具有长时间的稳定性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种高灵敏度VLEED自旋分析器靶材的原位制备方法
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