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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请属于电子技术领域，具体公开了一种压接IGBT模块结温估计方法及装置。本申请，通过根据压接IGBT模块中的压接芯片搭配顶面外壳和底面外壳的热传导路径，建立以顶面外壳的温度为参考温度的第一双面热阻网络模型以及以底面外壳为参考温度的第二双面热阻网络模型。与相关技术中的结温监测方法如传感器接触测量、光学测量等难以对压接IGBT芯片进行结温估计相比，本申请通过第一双面热阻网络模型和或第二双面热阻网络模型，便可以实现对压接IGBT模块中的压接IGBT芯片进行有效地结温估计，降低了对IGBT芯片进行结温估计的测量难度。
主权项：1.一种压接IGBT模块结温估计方法，其特征在于，包括：根据压接绝缘栅双极型晶体管IGBT模块中的第一热阻分支和第二热阻分支，确定第一双面热阻网络模型和第二双面热阻网络模型，所述第一热阻分支用于表征压接IGBT模块中的压接IGBT芯片到顶面外壳的热传导路径，所述第二热阻分支用于表征所述压接IGBT芯片到底面外壳的热传导路径，所述第一双面热阻网络模型为以所述顶面外壳的温度为参考温度对应的双面热阻网络模型，所述第二双面热阻模型为以所述底面外壳的温度为参考温度对应的双面热阻网络模型；根据所述第一双面热阻网络模型和或所述第二双面热阻网络模型，对所述压接IGBT芯片进行结温估计。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种压接IGBT模块结温估计方法及装置
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