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申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
摘要：本发明提供一种超导隧道结、超导电子元件及其制备方法。超导隧道结包括下电极，形成在下电极上的介电层，以及形成在介电层上方的上电极，下电极和上电极均包括多层结构，多层结构包括不同的超导材料层，超导隧道结形成异质类超导隧道结，自介电层至上电极、下电极的方向上，多层不同超导材料的超导能带逐渐增大。在上电极和下电极均为两层结构形成的约瑟夫生隧道结及包括其的电子元件中，异质类超导材料的界面能带差异和安德列耶夫反射交互作用，介于两层第一类超导材料之间的第二类超导材料约瑟夫生隧道结形成共振腔。该共振腔的共振频率可以达到500GHz～900GHz，填补次微米波和红外线光谱之间的空隙带，因此可用于宽带超高频振荡器。
主权项：1.一种超导隧道结，其特征在于，包括下电极，形成在所述下电极上的介电层，以及形成在所述介电层上方的上电极；其中，所述下电极和所述上电极均包括多层结构，所述多层结构包括不同的超导材料层，并且自所述介电层至所述上电极和所述下电极的方向上，所述多层结构中的不同的所述超导材料的能带宽度逐渐增大，所述超导隧道结形成异质类超导隧道结；所述上电极和所述下电极包括均两层结构，所述下电极包括第一下电极层以及形成在所述第一下电极层上的第二下电极层，所述介电层形成在所述第二下电极层上，所述上电极包括形成在所述介电层上的第二上电极层以及形成在所述第二上电极层上的第一上电极层，其中，所述第一下电极层和所述第一上电极层包括第一超导材料，所述第二下电极层和所述第二上电极层包括第二超导材料，并且所述第一超导材料和所述第二超导材料包括不同的超导材料，所述第一超导材料的能带宽度大于所述第二超导材料的能带宽度，所述第一超导材料的厚度大于所述第二超导材料的厚度，所述第一超导材料的厚度为所述第二超导材料的厚度为所述第一超导材料包括铅、铌、氮化铌及釔钡铜氧化物组成的群组中的至少一种，所述第二超导材料包括锡、铅、铌、氮化铌及釔钡铜氧化物组成的群组中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种超导隧道结、超导电子元件及其制备方法
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