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申请/专利权人：大庆师范学院

摘要：本发明提供了一种VGF法生长英寸级全无机CsPbBr3单晶的方法，属于晶体生长技术领域。本发明提供了英寸级全无机钙钛矿单晶的制备方法，先取CsPbBr3多晶进行除杂预处理得到多晶前驱体；将多晶前驱体置于安瓿瓶内，在真空度为10‑5～10‑2Pa的条件下加热至100～300℃并保持1～8h，对安瓿瓶顶端进行封结；将所述安瓿瓶进行分段加热后进行保温，使多晶前驱体充分熔化，待保温结束后梯度降温至室温，得到英寸级全无机CsPbBr3单晶。本发明采用VGF法，所用VGF炉保温效果好，内部温度梯度均匀，更有利于提高晶体均一度，同时可防止晶体内部出现裂痕，有利于大尺寸单晶的制备。

主权项：1.一种VGF法生长英寸级全无机CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1取CsPbBr3多晶进行除杂预处理得到多晶前驱体；步骤2将多晶前驱体装于石英安瓿瓶内，经过抽真空、加热、封结后，将安瓿瓶置于晶体生长腔内，在特定位置插入4～6根测温热偶并固定后，用保温盖对顶部进行覆盖；步骤3将所述晶体生长腔进行分段加热后保温，使多晶前驱体充分熔化，待保温结束后梯度降温至室温，得到英寸级全无机CsPbBr3单晶；所述步骤3中的晶体生长腔为四温区VGF炉，自下而上分别为第一加热区、第二加热区、第三加热区、第四加热区；所述步骤3中分段加热分为三个阶段：第一阶段时间为2～6h，将四个加热区同时由室温升至300～350℃；第二阶段时间为1～3h，将第一加热区升温至300～400℃，第二加热区升温至400～500℃，第三加热区升温和第四加热区同升温至500～600℃；第三阶段时间为1～3h，将第一加热区升温至450～550℃，第二加热区升温至500～600℃，第三加热区升温和第四加热区同升温至600～650℃；VGF炉的温度自下而上以2～10℃cm的温度梯度升高；所述步骤3中保温时间为15-30h；所述步骤3中梯度降温分为三个阶段：第一阶段时间为20～50h，将整个VGF炉由第三阶段升温温度降温至150～180℃，其中第三、四加热区的降温速率大于第一、二加热区，以此减小VGF炉内温度梯度；第二阶段时间为10～50h，各加热区同时降温至60～70℃；第三阶段时间为4～8h，各加热区同时降至室温。

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