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申请/专利权人：中国人民解放军陆军工程大学
摘要：本发明公开了一种g‑C3N4CeO2Bi2O3TOM异质结光催化材料及其制备方法，将g‑C3N4、CeO2和BiNO33•5H2O置于混合溶液中，加入电气石粉末，超声分散后再磁力搅拌搅拌；干燥后，研磨成粉末；在500℃温度下保温4h，然后再在450℃温度下保温12h，冷却后得到所述异质结光催化材料。该材料能够改变晶体的结构类型，有效抑制材料的光生电子‑空穴对的复合，提高光催化剂的光催化效果，并且提高光催化剂的降解效率。
主权项：1.一种g-C3N4CeO2Bi2O3TOM异质结光催化材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：将g-C3N4、CeO2和BiNO33•5H2O置于无水乙醇和去离子水形成的混合溶液中，搅拌均匀，加入电气石粉末，超声分散1h，再磁力搅拌搅拌2h；步骤二：将步骤一得到的悬浮液干燥后，得到的块状固体将其研磨成粉末；步骤三：将上述粉末在500℃温度下保温4h，然后再在450℃温度下保温12h，冷却后得到g-C3N4CeO2Bi2O3TOM异质结光催化材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军陆军工程大学 一种g-C3N4/CeO2/Bi2O3/TOM异质结光催化材料及其制备方法
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