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申请/专利权人：深圳森丰真空镀膜有限公司
摘要：本发明公开了一种改善干涉色正侧色差的PVD膜层制备方法，属于PVD镀膜领域。包括步骤：S1：基底材料放入镀膜室中，进行加热及抽真空；S2：通入氩气，开启偏压电源，进行弧光清洗；S3：开启外置磁场电源，开启两对Cr靶，沉积纯Cr层；S4：开启两对Si靶，通入N2，沉积CrSiN层；S5：通入气体C2H2，沉积CrSiCN层；S6：关闭一对Cr靶和一对Si靶，调整Cr靶和Si靶的电流，沉积干涉膜层的CrSiCN层；S7：关闭Cr，Si靶，开启另一对Cr靶，关闭气体N2，沉积干涉膜层CrC层；S8：关闭Cr靶，开启Si靶，沉积干涉膜层SiC层，结束镀膜。通过将靶材与货品的设置适当的距离，并同时附加外置磁场，改变炉内粒子运行轨迹，使得绕镀到货品侧面的粒子增多，从而改善货品正面和侧面的色差。
主权项：1.一种改善干涉色正侧色差的PVD膜层制备方法，其特征在于，包括步骤：S1：将基底材料进行清洗，将清洗后的基底材料放入镀膜室中，对镀膜室进行加热及抽真空；S2：当镀膜室的本底真空度达到0.001Pa时，通入氩气，使气压达到预定值，开启偏压电源，进行弧光清洗；S3：调整Ar气进气量，使气压达到特定值，调整偏压，开启外置磁场电源，开启两对Cr靶，沉积纯Cr层；S4：开启两对Si靶，通入N2，调整偏压，沉积CrSiN层；S5：通入气体C2H2，沉积CrSiCN层；S6：关闭一对Cr靶和一对Si靶，调整Cr靶和Si靶的电流，调整N2和C2H2的流量，沉积干涉膜层的CrSiCN层；S7：关闭Cr，Si靶，开启另一对Cr靶，关闭气体N2，调整气体C2H2的流量，沉积干涉膜层CrC层；S8：关闭Cr靶，开启Si靶，调整C2H2气体的流量，沉积干涉膜层SiC层，结束镀膜，关闭外置磁场电源。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳森丰真空镀膜有限公司 一种改善干涉色正侧色差的PVD膜层制备方法
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