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申请/专利权人：深圳森丰真空镀膜有限公司
摘要：本发明公开了一种改善玻璃PVD结合力的薄膜制备方法，属于PVD镀膜领域。S1：将玻璃基材固定于镀膜机真空室内，对真空室进行加热及抽真空；S2：通入氩气；S3：启动离子源，通过离子轰击清洁玻璃基材；S4：关闭离子源，通入氧气，开启偏压电源，设置占空比；开启一对钛靶，沉积氧化钛层；S5：关闭氧气，进行溅射，清除靶材表面氧化钛并沉积纯钛层；S6：关闭氧气，开启另一对钛靶，并开启硅靶，通入乙炔，沉积TiSiC膜层；S7：关闭一对钛靶，开启氮气，沉积TiSiCN膜层。本申请通过在玻璃基材表面首先镀制金属氧化物层，然后镀制纯金属过渡层，最后镀制多个分梯度渐变的颜色外观层，能够在显著提高玻璃镀膜结合力的基础上，不降低最终薄膜颜色外观的可调整性。
主权项：1.一种改善玻璃PVD结合力的薄膜制备方法，其特征在于，包括步骤：S1：将玻璃基材进行清洗和干燥后，固定于镀膜机真空室内，对真空室进行加热及抽真空；S2：真空室的本底真空度达到0.005Pa后，通入氩气，使炉内气压达到特定值；S3：启动离子源，切换到恒压模式，通过离子轰击清洁玻璃基材；S4：关闭离子源，通入氧气使炉内气压上升到特定值，开启偏压电源，设置占空比；开启一对钛靶，沉积氧化钛层；S5：关闭氧气，调整钛靶电流，进行溅射，清除靶材表面氧化钛并沉积纯钛层；S6：关闭氧气，开启另一对钛靶，并开启硅靶，通入乙炔，沉积TiSiC膜层；S7：关闭一对钛靶，调整硅靶电流，开启氮气，调整乙炔流量，沉积TiSiCN膜层；S8：关闭所有靶电源、偏压电源、气体，结束镀膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳森丰真空镀膜有限公司 一种改善玻璃PVD结合力的薄膜制备方法
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