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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体器件包括：形成在衬底上并被组织成沿第一方向延伸的多个单元行的区域；第一单元，跨所述多个单元行中的第一单元行设置，所述第一单元沿垂直于所述第一方向的第二方向具有第一高度；以及第二单元，跨所述多个单元行中的第二单元行和第三单元行的一半设置，所述第二单元具有第二高度。所述第一单元基本上由具有第一导电性的第一有源区和具有第二导电性的第二有源区组成。所述第二单元基本上由具有所述第一导电性的第三有源区和具有所述第二导电性的第四区组成。第二高度是第一高度的1.5倍。本申请的实施例还公开了生成半导体器件布局的方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：形成在衬底上并被组织成沿第一方向延伸的多个单元行的区域；第一单元，跨所述多个单元行中的第一单元行设置，所述第一单元沿垂直于所述第一方向的第二方向具有第一高度；以及第二单元，跨所述多个单元行中的第二单元行和第三单元行的一半设置，所述第二单元具有第二高度；其中，所述第一单元基本上由具有第一导电性的第一有源区和具有第二导电性的第二有源区组成；其中，所述第二单元基本上由具有所述第一导电性的第三有源区和具有所述第二导电性的第四有源区组成；并且其中，所述第二高度是所述第一高度的1.5倍。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及生成其布局的方法
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