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一种吲哚并[3,2-B]咔唑结构衍生物及其电致发光器件 

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申请/专利权人:西安欧得光电材料有限公司

摘要:本发明公开了一种吲哚并[3,2‑B]咔唑结构衍生物及其电致发光器件,用本发明所述的吲哚并[3,2‑B]咔唑衍生物作为TADF材料应用于OLED器件的发光层,具有优异的热稳定性和薄膜稳定性,有利于器件的制备,并且显著提升了器件的发光效率,降低启动电压和能耗,延长器件工作寿命。同时本发明的吲哚并[3,2‑B]咔唑结构衍生物作为作发光层材料亦可应用于柔性OLED屏的一体化喷墨打印,节约了时间和材料,保证了加工精度,可广泛应用于显示器等领域。

主权项:1.一种吲哚并[3,2-B]咔唑结构衍生物,其特征在于,所述吲哚并[3,2-B]咔唑结构衍生物的结构通式包括通式1-1和通式1-2: 式中:Ar1,Ar2分别独立的选自H、C5~C30取代或未取代的杂芳基;所述取代的取代基为C1~C6烷基苯取代、C1~C6烷氧基苯取代、苯基取代、C1~C6烷基取代、C3~C6环烷基取代;Ar3选自C6~C40取代或未取代的芳烃或者稠环芳烃;所述取代的取代基为卤素取代、C1~C6烷基或烷氧基取代、氰基或三氟甲基取代;R1,R2分别独立的选自H、C1~C6的烷基、C6~C12的芳基;所述杂芳基中杂原子包括O、S、N、P、B、Si,杂芳基包括单环杂芳基和多环杂芳基。

全文数据:

权利要求:

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