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2.5D封装方法和2.5D封装结构 

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申请/专利权人:甬矽半导体(宁波)有限公司

摘要:本申请提供了一种2.5D封装方法和2.5D封装结构,涉及半导体技术领域。该2.5D封装方法包括提供具有第一胶层的载具;在第一胶层上开设第一凹槽;在第一凹槽内形成第一介质层;在第一介质层上形成第一阻挡层;形成贯穿第一阻挡层和第一介质层的第一金属柱;形成与第一金属柱电连接的第一布线层;去除载具;在第一胶层远离第一布线层的一侧开设第二凹槽;在第二凹槽内形成第二阻挡层;形成贯穿第二阻挡层的第二金属柱;第二金属柱与第一金属柱连接;去除第一胶层;在第二金属柱上贴装第一芯片。可以提高结构强度,以及减少第一布线层受到的结构应力,封装结构更加可靠。

主权项:1.一种2.5D封装方法,其特征在于,包括:提供具有第一胶层的载具;在所述第一胶层上开设第一凹槽;在所述第一凹槽内形成第一介质层;在所述第一介质层上形成第一阻挡层;形成贯穿所述第一阻挡层和所述第一介质层的第一金属柱;形成具有第一布线层的衬底;其中,所述第一金属柱电连接所述第一布线层;去除所述载具;在所述第一胶层远离所述第一布线层的一侧开设第二凹槽;在所述第二凹槽内形成第二阻挡层;形成贯穿所述第二阻挡层的第二金属柱;所述第二金属柱与所述第一金属柱连接;去除所述第一胶层;在所述第二金属柱上贴装第一芯片。

全文数据:

权利要求:

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