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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例公开了一种半导体器件的布局结构及阵列结构、集成电路的布局结构，其中，半导体器件的布局结构包括：多个第一有源区，均沿第一方向延伸；两个栅极连接结构，沿第一方向排布，每个栅极连接结构均包括互连的2N个第一栅极和2N个第二栅极；第一栅极对应第一有源区；N为正整数；2N个第三栅极；其中，N个第三栅极位于两个栅极连接结构之间，且与两个栅极连接结构的各N个第二栅极对应；剩余的N个第三栅极位于一个栅极连接结构远离另一个栅极连接结构的一侧，且与一个栅极连接结构剩余的N个第二栅极对应；第二栅极以及第三栅极均沿第二方向延伸；第二方向与第一方向垂直。
主权项：1.一种半导体器件的布局结构，其特征在于，包括：多个第一有源区，均沿第一方向延伸；两个栅极连接结构，沿所述第一方向排布，每个所述栅极连接结构均包括互连的2N个第一栅极和2N个第二栅极；所述第一栅极对应所述第一有源区；所述N为正整数；2N个第三栅极；其中，N个第三栅极位于所述两个栅极连接结构之间，且与两个栅极连接结构的各N个第二栅极对应；剩余的N个第三栅极位于一个所述栅极连接结构远离另一个栅极连接结构的一侧，且与所述一个栅极连接结构剩余的N个第二栅极对应；所述第二栅极以及所述第三栅极均沿第二方向延伸；所述第二方向与所述第一方向垂直。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件的布局结构及阵列结构、集成电路的布局结构
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