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申请/专利权人：格拉斯哥大学大学行政评议会;赫瑞—瓦特大学
摘要：提出了一种单光子雪崩二极管SPAD器件。该SPAD器件包括：基于Si的雪崩层，其形成在n型半导体接触层上；p型电荷片层，其形成在雪崩层中或雪崩层上，该p型电荷片层具有面内宽度；基于Ge的吸收体层，其形成在电荷片层和或雪崩层上并与电荷片层交叠，基于Ge的吸收体层具有面内宽度；其中，基于Ge的吸收体层的面内宽度至少在一个面内方向上大于p型电荷片层的面内宽度。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管SPAD器件，包括：基于Si的雪崩层，其形成在n型半导体接触层上；p型电荷片层，其形成在所述雪崩层中或所述雪崩层上，所述p型电荷片层具有面内宽度；基于Ge的吸收体层，其形成在所述电荷片层和或所述雪崩层上并与所述电荷片层交叠，所述基于Ge的吸收体层具有面内宽度；其中，所述基于Ge的吸收体层的面内宽度至少在一个面内方向上大于所述p型电荷片层的面内宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格拉斯哥大学大学行政评议会 赫瑞—瓦特大学 单光子雪崩检测器、其使用方法及其制造方法
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