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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种MXene：MoS2量子点忆阻器，应用于无机半导体技术领域，该忆阻器包括依次设置的衬底、顶电极、阻变层和底电极，该阻变层包括介质层和敷设在该介质层上的MXene：MoS2量子点层，该介质层顶部与该顶电极底部接触，该MXene：MoS2量子点层底部与该底电极顶部接触。本发明还公开了一种MXene：MoS2量子点忆阻器的制备方法，实现了对阻变材料禁带宽度、忆阻器件响应时间及高阻态阻值的调控。
主权项：1.一种MXene：MoS2量子点忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括依次设置的衬底、顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括介质层和敷设在所述介质层上的MXene：MoS2量子点层，所述介质层顶部与所述顶电极底部接触，所述MXene：MoS2量子点层底部与所述底电极顶部接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 MXene:MoS2量子点忆阻器及制备方法
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